НИИ Российский центр лазерной физики (RU)
НИИ Российский центр лазерной физики (RU) является правообладателем следующих патентов:

Способ выращивания кристаллов
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов соединений, обладающих высокой упругостью паров над расплавом в условиях роста при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского. Сущность изобретения: способ состоит из 2 стадий, включающих выращивание легированных кристаллов, из которых изготавливаются заготовки затравок в виде диска заданного диаметра толщиной порядка 5-6 мм для...
2248418