Государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (RU)

Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является уменьшение влияния токов подложки полупроводникового прибора, чувствительного к магнитному полю, на соседние элементы интегральной схемы и уменьшение погрешности измерений и...

Использование: микроэлектроника, технология изготовления самосовмещенных БиКМОП структур в составе ИМС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного БиКМОП прибора окна под все области биполярных и МОП транзисторов, а также изолирующих областей вскрывают одновременно в третьем, во втором диэлектрических слоях и первом слое поликристакллического кремния до первого диэлектрического...