Открытое акционерное общество "НИИ Молекулярной Электроники и завод "МИКРОН" (RU)
Открытое акционерное общество "НИИ Молекулярной Электроники и завод "МИКРОН" (RU) является правообладателем следующих патентов:
![Способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем Способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7c720923d7027c984097d9884d5ecdd4.jpg)
Способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем
Использование в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления интегральных схем (ИС) с использованием комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP с носителями разного типа проводимости. Сущность изобретения: способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем по предлагаемому изобретению приводит к тому, что размеры эмиттера и базы тран...
2244985![Способ изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки с тонкопленочным резистором Способ изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки с тонкопленочным резистором](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ca1f774b78a06185fc60ab84b07f4b50.jpg)
Способ изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки с тонкопленочным резистором
Использование: в производстве струйных принтеров, а именно печатающих головок для струйных принтеров, имеющих небольшие отверстия в головке, через которые по программе выбрасываются чернильные капельки. Сущность изобретения: в способе изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки, включающем осаждение резистивного слоя и слоя проводника на изолированной подложке, формирова...
2263998![Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/0b90d61aa8bc3d3d3ae6fdb26e5bf62b.jpg)
Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления
Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров содержит кремниевую подложку первого типа проводимости со скрытым слоем второго типа проводимости, размещенный на подложке эпитаксиальный слой второго типа проводимости, боковую изоляцию в эпитаксиальном слое вокруг области коллектора транзистора второго типа проводимости на...
2279733![Бикмоп-прибор и способ его изготовления Бикмоп-прибор и способ его изготовления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e4fda52ace2adc73717f78c7a4d352ce.jpg)
Бикмоп-прибор и способ его изготовления
Изобретение относится к области микроэлектроники. Сущность изобретения: БиКМОП-прибор содержит первый МОП-транзистор, содержащий истоковую и стоковую области, электроды к областям истока и стока из первого и второго слоев поликристаллического кремния и затвор из третьего слоя поликристаллического кремния; второй МОП-транзистор, который имеет такую же структуру, как и первый МОП-транзистор, с типом...
2282268