Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ") (RU)

Изобретение относится к области неразрушающего контроля. Технический результат: расширение возможностей использования образца за счет одновременного определения чувствительности магнитных дефектоскопов к поверхностным и подповерхностным дефектам. Сущность: Образец содержит пластину с отверстием и установленной в нем втулкой из того же материала. Сопряжение между пластиной и втулкой образует поверх...

Использование: для радиометрического контроля материалов и изделий. Сущность: заключается в том, что в заявляемом способе радиометрического контроля и устройстве для его осуществления счет электрических импульсов всех детекторов одновременно прекращается как только каждый из детекторов зарегистрирует не менее задаваемого числа электрических импульсов, обусловленных ионизирующим излучением. Техниче...

Использование: для разбраковки полупроводниковых приборов по радиационной стойкости. Сущность заключается в том, что критериальный параметр полупроводниковых приборов для “обучающей” выборки и классифицируемой партии измеряют до и после облучения малой дозой ионизирующего излучения, не приводящей к существенному структурному дефектообразованию, а определение стойкости приборов осуществляют на осно...

Изобретение относится к области неразрушающего контроля. Сущность: образец состоит из пластины с отверстием и установленной в нем втулки из того же материала. Отверстие и втулка выполнены ступенчатой формы в виде нескольких коаксиальных цилиндров с диаметрами d1, d2, ..., dn, уменьшающимися по глубине пластины, и выполненных на глубину t1, t2, ... tn, соответственно, от поверхности образца. Сопряж...