Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН (RU)

Изобретение относится к оптикоэлектронному приборостроению и предназначено для измерения и исследования тонкопленочных структур и оптических констант поверхностей различных материалов путем анализа поляризации отраженного образцом светового пучка. В спектральном эллипсометре, содержащем последовательно расположенные вдоль оптической оси источник излучения, коллимирующую оптику, поляризатор, анализ...

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при создании импульсно-периодических лазеров на парах химических элементов. Лазер содержит газоразрядную трубку, высоковольтный выпрямитель, дроссель резонансной зарядки, зарядный диод, накопительную емкость, тиратрон, генератор, проходную емкость, источник отрицательного смещения, источник питания. Газоразрядная трубк...