ОАО "НИИ Молекулярной Электроники и завод МИКРОН" (RU)

Использование: для определения параметров слоев подзатворного диэлектрика. Сущность изобретения: в способе контроля качества тонких слоев подзатворного диэлектрика, позволяющем определять совокупность электрофизических параметров большого количества МДП-структур по всей пластине за один ее обход, измерения предпробойной ВАХ МДП-структуры, напряжения пробоя подзатворного диэлектрика и заряда, инжек...