Физико-технологический институт РАН (RU)

Использование: для контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ-разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов в микроэлектронике и наноэлектронике. Сущность изобретения: для контроля в реальном времени момента окончания плазмохимического травления слоев микро- и наноэлектронных структур выполняется измерение и обработка модулированного сигнала оптической эмиссии плазмы на...

Использование: при контроле плазмохимических процессов травления в технологии изготовления полупроводниковых приборов в микро- и наноэлектронике. Сущность изобретения: для контроля в реальном времени процессов плазмохимического травления дифференциальной оптической актинометрией выполняется смешение газа - источника химически активных частиц и инертного газа-актинометра, удовлетворяющего условиям...

Использование: Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам электронной техники с квантовыми потенциальными ямами и может быть использовано в микроэлектронике, нанотехнологии и оптоэлектронике. Техническим результатом изобретения является увеличение быстродействия и снижение трудоемкости изготовления. Сущность изобретения: тонкопленочный оксидированный нанокристаллический кремний,...