ШПАН Герхард (AT)

Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии. Сущность: Термоэлемент содержит по меньшей мере один n-слой и, по меньшей мере, один р-слой одного или нескольких примесных полупроводников. N-слой (слои) и р-слой (слои) расположены таким образом, что образуют, по меньшей мере, один р-n-переход. По меньшей мере, один n-слой и, по меньшей мере, один р-слой селективно контактируют...

Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии. Сущность: термоэлектрический элемент содержит, по меньшей мере, одну термопару и один рn-переход. Термопара содержит первый материал с положительным коэффициентом Зеебека и второй материал с отрицательным коэффициентом Зеебека. Первый материал (1) через металлический проводник (6) селективно контактирует с р-областью (4) рn-перех...