Иванова Наталья Викторовна (RU)

Устройство по первому варианту содержит световоды, соединенные с источником излучения и выполненные оптоволоконньми с утоненными концами или в виде микроконусов. Диаметры утоненных концов оптоволоконных световодов или радиусы закругления при вершине микроконусов имеют размер от 10 до 50 нм. Расстояние z между световодами и фоторезистом составляет от 1 до 2000 нм. Устройство по второму варианту сод...

Способ включает создание на поверхности чувствительного к используемому излучению материала пятен засветки с помощью матрицы или составной матрицы излучателей, содержащей N матриц, где N≥2. Размеры матрицы или составной матрицы излучателей равны или превышают размеры заданного изображения, а диаметр d потока излучения на выходе из каждого излучателя составляет менее 100 нм. Заданное изобра...