Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН) (RU)

Изобретение относится к ИК-оптике и касается разработки способа получения массивных (толщиной более 20 мм) образцов селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн. Способ включает подачу паров селеноводорода и цинка потоком аргона к нагретым до 650-750°С подложкам и осаждением на них сел...

Изобретение может быть использовано для получения диоксида теллура высокой степени чистоты, используемого в производстве теллуритных стекол для волоконной оптики, для выращивания монокристаллов парателлурита. Исходный диоксид теллура прокаливают в вакууме при температуре не менее 550°С в тигле, выполненном из инертного к диоксиду теллура материала, прокаленный диоксид теллура расплавляют,...

Изобретение может быть использовано при получении высокочистого оксида вольфрама (VI), применяемого в синтезе материалов для волоконной оптики и других областях. Способ получения высокочистого оксида вольфрама (VI) включает гидролиз очищенного гексафторида вольфрама с последующим выделением оксида вольфрама из раствора продуктов гидролиза и прокаливанием последнего, при этом очистку гексафторида в...

Изобретение может быть использовано для получения гексафторида вольфрама высокой чистоты, используемого в микроэлектронике, при синтезе теллуритных стекол. Способ очистки гексафторида вольфрама включает дистилляцию с последующей фильтрацией потока газообразного продукта через фторопластовый волокнистый фильтр. Дистилляцию гексафторида вольфрама проводят при скорости испарения не более 5·10...