Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство Российской Федерации по атомной энергии (RU)

Использование: изобретение относится к неразрушающим способам диагностики структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может использоваться в технологии микроэлектроники для контроля качества приборных слоев в композиции типа “кремний на сапфире”. Технический результат: повышение чувствительности эллипсометрического контроля дефектности пленок...

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для очистки полупроводниковых структур от ростовых и технологических микродефектов. Технический результат: повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации микродефектов в полупроводниковых структурах. Сущность изобретения: в способе геттерирующей обработки по...