Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" (RU)

Изобретение относится к области металлургии, в частности к металлогидридным сплавам, и может быть использовано в тепловых насосах для выработки холода, например, в качестве кондиционеров и в тепловых насосах, применяемых для выработки тепла. Предложена металлогидридная пара сплавов для теплового насоса, содержащая низкотемпературный и высокотемпературный сплавы, при этом в качестве низкотемператур...

Изобретение относится к способам получения трихлорсилана из тетрахлорида кремния и может быть использовано для утилизации тетрахлорида кремния, образующегося в процессе получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана. Техническим результатом заявленного способа является повышение технико-экономических показателей процесса, повышение степени конверсии в одностадийном...

Изобретение относится к способам получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана по замкнутому технологическому циклу с регенерацией тетрахлорида кремния из отходящей газовой фазы гидрированием до получения трихлорсилана. Способ включает приготовление исходной парогазовой смеси в испарителе путем барботажа водорода через слой трихлорсилана при поддержании в испарите...

Изобретение относится к производству поликристаллического кремния по замкнутому циклу и касается устройств для конверсии образующегося в процессе получения поликристаллического кремния тетрахлорида кремния в трихлорсилан. Устройство для гидрирования тетрахлорида кремния включает: корпус с патрубками для подачи и вывода парогазовой смеси в реакционную камеру; нагреватели, выполненные в виде пластин...

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния для получения трихлорсилана, являющегося исходным сырьем для получения полупроводникового кремния. Способ получения трихлорсилана включает: синтез хлористого водорода, синтез трихлорсилана с получением трихлорсилана в парогазовой смеси, содержащей также тетрахлорид кр...

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры. Способ включает кристаллизацию расплава в тигле на затравочный кристалл, расположенный в нижней части тигля и имеющи...

Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращиваемых методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов. Сущность изобретения: способ повышения механической прочности монокристаллических бездислокационных пластин кремния с содержанием кислорода на уровне...