Ухтинский государственный технический университет (УГТУ) (RU)

Изобретение относится к испытательной технике. Нагружающий механизм состоит из верхнего и нижнего захвата для образца, рычажного нагружающего устройства со штангой и поддоном для груза, связанного с верхним захватом. Нагружающий механизм содержит каркас, установленный на основании, дополнительно введены три нижних захвата, прикрепленные к нижней части каркаса, и три верхних захвата, соединенные с...

Изобретение относится к нефтегазодобывающей промышленности, в частности к способам разработки газонефтяных залежей, в которых газовые, нефтяные и водоносные пласты разделены пластами непроницаемых пород. Обеспечивает продление сроков фонтанной эксплуатации и повышение нефтеотдачи путем рационального использования пластовой энергии посредством контроля и управления процессом межпластовых и внутрипл...

Изобретение относится к нефтегазодобывающей промышленности, в частности к способам разработки многопластовых залежей углеводородов, где газовые, нефтяные и водоносные пласты разделены пластами плотных, но проницаемых пород. Обеспечивает увеличение нефтеотдачи и газоконденсатоотдачи путем комплексного воздействия на нефтяные оторочки за счет рационального расположения в залежи стволов скважин, увел...

Изобретение относится к области бурения нефтяных и газовых скважин. Технический результат - улучшение демпфирующих и адгезионных свойств тампонажных растворов, повышение седиментационной устойчивости и долговременное сохранение прочности цементного камня. Дисперсно-армированный тампонажный раствор, включающий тампонажный портландцемент, минеральное волокно, соль поливалентного металла, водорас...

Изобретение относится к бурению скважин и, в частности, может быть использовано для контроля проводки направленных, горизонтальных и горизонтально-восстающих скважин в уклонах нефтяных шахт. Техническим результатом изобретения является повышение точности измерений параметров искривления горизонтально-направленных скважин без использования инклинометрии во взрывоопасных и магнитных средах, что позв...