Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (RU)

Использование: в микроэлектронике, а именно в способах фотолитического травления поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: способ фотолитического травления двуокиси кремния включает травление поверхности SiO2 в гексафториде серы при воздействии вакуумного ультрафиолетового излучения (ВУФ) от дейтериевой лампы. В травящий газ дополнительно вво...

Лодочка для удержания кремниевых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время термообработки. Лодочка состоит из четырех параллельных кварцевых стержней с нарезанными в них пазами, соединенных между собой определенным образом, где два стержня расположены выше по отношению к двум другим стержням, причем горизо...

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов. Сущность изобретения: в способе формирования затворных областей КМОП-транзисторов, включающем формирование в подложке первого типа проводимости областей второго типа проводимости, противоканальных областей, диэлектрической изоляции, подзатворного диоксида кремния, осаждение слоя поликристалличес...

Изобретение относится к средствам для образования паровой и парогазовой смеси, используемой при высокотемпературной обработке изделий в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение направлено на повышение надежности и качества дозатора, что обеспечивается за счет того, что дозатор гомогенной парогазовой смеси содержит резервуар с реагентом, нагреватель, размещенный во в...