ТЕХНИШЕ УНИВЕРСИТЕТ ЭЙНДХОВЕН (NL)

Изобретение относится к способу и устройству для осаждения по меньшей мере частично кристаллического кремниевого слоя на подложку и может быть использовано в различных отраслях машиностроения. Генерируют плазму и подложку подвергают воздействию кремнийсодержащей текучей среды-источника и вспомогательной текучей среды, обладающей способностью вытравливать некристаллически связанные атомы кремния. Н...