ТЕКНЕГЛАС, ИНК. (US)
ТЕКНЕГЛАС, ИНК. (US) является правообладателем следующих патентов:
Способ легирования кремния фосфором и выращивания оксида на кремнии в присутствии пара
Использование: для легирования кремния фосфором с использованием твердого источника легирующего вещества. Сущность изобретения: способ легирования кремниевой пластины включает размещение кремниевой пластины в пространственном отношении к твердому источнику фосфорного легирующего вещества при первой температуре в течение времени, достаточного для осаждения фосфорсодержащего слоя на поверхности плас...
2262773