Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU)

Изобретение относится к полупроводниковым ИС для создания фоточувствительных цифровых и аналоговых устройств. Технический результат заключается в реализации операции аналогового вычитания сигналов изображения двух соседних элементов. Технический результат достигается тем, что в схеме, состоящей из двух элементов с фотодиодами (ФД) (1, 2) имеется восстанавливающий МОП-транзистор (Т) (3), сток котор...