Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников Сибирского отделения РАН (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для создания современных материалов микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является устранение преципитатов кислорода в КНИ структурах. Сущность изобретения: в способе получения структур кремний-на-изоляторе в пластину кремния осуществляют имплантацию водорода, затем проводят химическую обработку пластины...