Московский инженерно-физический институт (Государственный университет) (RU)

Изобретение относится к области плазменных исследований. В способе формирование потоков анализируемых частиц, покидающих различные области плазмы, осуществляют путем последовательного сканирования всей области плазмы. Для этого частицы пропускают через щели диафрагм, одну из диафрагм при этом вращают так, чтобы область перекрытия щелей двигалась относительно плазмы, затем фиксируют моменты времени...

Изобретение относится к следующим областям техники автомобилестроению, авиационной и космической технике, машиностроению. Способ поглощения энергии ударного воздействия с использованием гетерогенной системы заключается в сжатии размещенной в замкнутом объеме гетерогенной системы, состоящей из пористого вещества и несмачивающей его жидкости, путем ударного воздействия, удовлетворяющего следующему н...

Изобретение относится к области обеспечения электромагнитной безопасности и может быть использовано для непрерывного контроля получаемой дозы СВЧ-энергии на рабочих местах и в быту. Техническим результатом является обеспечение контроля удельной поглощенной мощности электромагнитного излучения при наличии нескольких источников и распространении электромагнитного излучения с различных направлений од...

Изобретение относится к способам получения углеродных наноструктур, таких как углеродные глобулы и углеродные нанотрубки различной формы, которые могут быть использованы в наноэлектронике в качестве частей электронных микросхем и приборов на их основе с субмикронными рабочими элементами - нанотранзисторы, нанодиоды, нанокатоды. Способ получения углеродных наноструктур включает магнетронное напыл...

Изобретение относится к области вакуумной техники и технологии получения углеродных наноструктур, таких как углеродные нанонотрубки на кончике зондов, которые применяются в зондовой микроскопии для прецизионного сканирования. Способ получения зондов с углеродными нанотрубками осуществляется путем нанесения углеродных пленок с нанотрубками методом магнетронного распыления в вакууме при постоянном...