Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии наук (ИПТМ РАН) (RU)
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии наук (ИПТМ РАН) (RU) является правообладателем следующих патентов:

Способ уменьшения фона в ионном источнике тлеющего разряда
Использование: в масс-спектрометрии при элементном анализе твердых веществ, газов и жидкостей с высокой чувствительностью. Техническим результатом изобретения является увеличение производительности и чувствительности анализа. Сущность изобретения: в способе уменьшения уровня фона ионного источника тлеющего разряда, содержащего полый катод, включающем уменьшение интенсивности десорбции загрязнений...
2269178