Институт химии высокочистых веществ РАН (ИХВВ РАН) (RU)

Изобретение относится к неорганической химии и касается разработки способа получения высокочистого диоксида селена, который может быть использован в органическом синтезе, а также в полупроводниковой технике. Диоксид селена получают окислением селенида цинка кислородом при атмосферном давлении. Окисление ведут в две стадии одновременно двумя потоками кислорода, при этом на первой стадии окисление с...