PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Башков Валерий Михайлович (RU)

Башков Валерий Михайлович (RU) является правообладателем следующих патентов:

Способ пластифицирования шихты парафином

Способ пластифицирования шихты парафином

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к приготовлению твердосплавной шихты. Способ пластифицирования шихты парафином включает приготовление смеси, содержащей компоненты твердого сплава, к которой добавляют парафин и растворитель. В качестве растворителя используют бензин, при этом парафин диспергируют в бензине в количестве не более 5%. Количество парафина по отношению к коли...

2275986

Способ прессования плотных заготовок

Способ прессования плотных заготовок

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к прессованию заготовок из шихты с низким содержанием пластификатора. Способ изготовления заготовок из шихты включает введение в твердосплавную смесь 0,5-1,0% пластификатора и последующее прессование. Перед извлечением из пресс-формы на заготовку воздействуют импульсом или пакетом импульсов силы величиной не менее 0,1-0,15% от величины уд...

2275987

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...

2372691

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре, и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетеростру...

2372692

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...

2372693


Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетерострук...

2372694

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двухконтактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выпо...

2412897

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, вып...

2412898

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Изобретение относится к электронным приборам, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом выпрямительном диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3,...

2415494

Способ химикотермической обработки режущего инструмента из стали и твердых сплавов

Способ химикотермической обработки режущего инструмента из стали и твердых сплавов

Изобретение относится к металлургии и машиностроению, а именно к обработке режущего инструмента. Проводят очистку и обезжиривание поверхности инструмента и обработку инструмента раствором высокомолекулярных фторсодержащих соединений с поддерживанием температуры раствора при вращении инструмента со скоростью 12000 об/мин и/или при ультразвуковой обработке с частотой, не доводящей раствор до кавита...

2439202


Преобразователь энергии электромагнитной волны свч-диапазона в постоянное напряжение

Преобразователь энергии электромагнитной волны свч-диапазона в постоянное напряжение

Изобретение относится к технике дистанционной передачи и преобразования сверхвысокочастотной электромагнитной энергии в электрическую энергию постоянного тока и может применяться в выпрямителях малой мощности. Преобразователь энергии электромагнитной волны СВЧ-диапазона в постоянное напряжение содержит антенну и выпрямитель, имеющий N ступеней умножения напряжения и содержащий 2·N либо 4N вентиль...

2443050

Способ и устройство для получения многослойно-композиционных наноструктурированных покрытий и материалов

Способ и устройство для получения многослойно-композиционных наноструктурированных покрытий и материалов

Изобретение относится к технологии получения покрытий. Способ включает размещение подложки в вакуумной камере, ионное травление подложки и осаждение на подложку материала методом PVD в среде рабочего газа. Для осаждения используют не менее двух электродуговых источников плазмы с сепарацией потока, причем по крайней мере один из них снабжен катодом из тугоплавкого металла. При этом формируют импул...

2463382