Башков Валерий Михайлович (RU)
Башков Валерий Михайлович (RU) является правообладателем следующих патентов:
Способ пластифицирования шихты парафином
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к приготовлению твердосплавной шихты. Способ пластифицирования шихты парафином включает приготовление смеси, содержащей компоненты твердого сплава, к которой добавляют парафин и растворитель. В качестве растворителя используют бензин, при этом парафин диспергируют в бензине в количестве не более 5%. Количество парафина по отношению к коли...
2275986Способ прессования плотных заготовок
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к прессованию заготовок из шихты с низким содержанием пластификатора. Способ изготовления заготовок из шихты включает введение в твердосплавную смесь 0,5-1,0% пластификатора и последующее прессование. Перед извлечением из пресс-формы на заготовку воздействуют импульсом или пакетом импульсов силы величиной не менее 0,1-0,15% от величины уд...
2275987Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...
2372691Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре, и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетеростру...
2372692Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...
2372693Наноэлектронный полупроводниковый смесительный диод
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетерострук...
2372694Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод
Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двухконтактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выпо...
2412897Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод
Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, вып...
2412898Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод
Изобретение относится к электронным приборам, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом выпрямительном диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3,...
2415494Способ химикотермической обработки режущего инструмента из стали и твердых сплавов
Изобретение относится к металлургии и машиностроению, а именно к обработке режущего инструмента. Проводят очистку и обезжиривание поверхности инструмента и обработку инструмента раствором высокомолекулярных фторсодержащих соединений с поддерживанием температуры раствора при вращении инструмента со скоростью 12000 об/мин и/или при ультразвуковой обработке с частотой, не доводящей раствор до кавита...
2439202Преобразователь энергии электромагнитной волны свч-диапазона в постоянное напряжение
Изобретение относится к технике дистанционной передачи и преобразования сверхвысокочастотной электромагнитной энергии в электрическую энергию постоянного тока и может применяться в выпрямителях малой мощности. Преобразователь энергии электромагнитной волны СВЧ-диапазона в постоянное напряжение содержит антенну и выпрямитель, имеющий N ступеней умножения напряжения и содержащий 2·N либо 4N вентиль...
2443050Способ и устройство для получения многослойно-композиционных наноструктурированных покрытий и материалов
Изобретение относится к технологии получения покрытий. Способ включает размещение подложки в вакуумной камере, ионное травление подложки и осаждение на подложку материала методом PVD в среде рабочего газа. Для осаждения используют не менее двух электродуговых источников плазмы с сепарацией потока, причем по крайней мере один из них снабжен катодом из тугоплавкого металла. При этом формируют импул...
2463382