КЕМБРИДЖ СЕМИКОНДАКТОР ЛИМИТЕД (GB)

Сущность: мощное полупроводниковое устройство (10) содержит активную область, которая включает область дрейфа (20). По меньшей мере, часть области (20) дрейфа расположена в мембране (16), которая содержит расположенные друг напротив друга верхнюю и нижнюю поверхности (15, 17). В одном варианте воплощения верхняя поверхность (15) мембраны (16) имеет электрические выводы, подключенные к ней непосред...