Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН) (RU)

Изобретение относится к области получения тонких металлических пленок и может быть использовано как для получения свободных сверхтонких металлических пленок, например, сусального золота, платины и др., так и последующего нанесения этих пленок на разнообразные подложки. Предложенный способ включает нанесение слоя благородного металла на пластины монокристаллического кремния приборного качества с по...

Изобретение относится к технологии создания газосепарирующих мембран, функционирующих за счет селективной диффузии тех или иных газов сквозь тонкую металлическую пленку. Способ включает нанесение на очищенную технологическую подложку тонкой пленки из металлов или сплавов, или металлических соединений на их основе, последующее отделение металлической пленки от подложки и перенос ее на пористый держ...

Использование: для изготовления рентгеновской преломляющей линзы с профилем вращения. Сущность изобретения заключается в том, что для изготовления линзы с требуемым фокусным расстоянием F формируют одну или несколько линз с фокусным расстоянием, определяемым по соотношению , где N - число линз, a F0=Rc/2δ, где Rc - радиус кривизны параболического профиля, δ - декремент показателя п...

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к тонкопленочным датчикам на основе экстраординарного эффекта Холла, и может быть использовано в микроэлектронике при измерении и регистрации локальных магнитных полей и величин электрического тока, а также при разработке микроэлектронных устройств нового поколения. Датчик Холла для локальной магнитометрии включает подложку, помещенную н...

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых наноприборов на основе р-n перехода, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д. Сущность изобретения: в структуре гетерогенного р-n перехода на основе, по крайней мере, одного наностержня оксида цинка n-типа проводимости и полупроводниковой пленки р-типа проводимост...