Максутов Асхат Ибрагимович (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике. Прибор может быть выполнен в виде управляемых напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит полупроводник, на поверхности которого сформированы две сильнолегированные области противоположного с полупроводником типа проводимости с омическими контактами к ним, слой изолятора, сформ...

Использование в микроэлектронике. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит первый полупроводниковый слой электронного либо дырочного типа проводимости с омическим контактом к нему, на части поверхности которого сформирован второй полупроводниковый или металлический слой, образующий с первым полупроводниковым слоем полупроводниковый переход, с другим омическим контактом, на части вне...

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов и может быть использовано в микроэлектронике. Прибор может быть выполнен в виде управляемых напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора, линии передачи. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит изолирующий слой, на одной части поверхности которого сформирован проводящий участок, а на другой части повер...