Панкрашкин Алексей Владимирович (RU)

Изобретения относятся к конструкции и технологии изготовления полупроводниковых систем дозиметрического измерения оптического излучения (ОИ) в широком и ограниченном диапазонах длин волн. Сущность: датчик ОИ выполнен в виде сэндвич-структуры слоев сегнетоэлектрика и полупроводника. Сегнетоэлектрическая пленка сэндвич-структуры выполнена из поляризованного нелегированного материала, а полупроводник...