Способ изготовления тонкопленочных резисторов на гибкой подложке

Способ изготовления тонкопленочных резисторов на гибкой подложке

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (ss) I 004485 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 190581 (2! ) 3294б04/18-21 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритетf$gj+ Кд з

С 23 С 1.3/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 150383. Бюллетень ¹ 10 (33) УДК 621. 793 (088. 8 ) Дата опубликования описания 150383 (71) Заявитель (54 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ

РЕЗИСТОРОВ HA ГИБКОЙ ПОДЛОЖКЕ

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве радиоэлектронной аппаратуры при изготовленни микросхем частного применения, дискретных тонкопленочных резисторов на гибкой подложке из полиимидной пленки.

Известен способ изготовления тонкопленочных резисторов на пластмассовой пленке из полиимида или фторопласта, при котором пленка покрывается с обеих сторон слоями нихрома толщиной 0,002 мкм, а затем слоем меди толщиной до 20 мкм. Нанесение покрытий осуществляется электронным лучом, а травлением создаются резистивные элементы и соединения между ними. Значения поверхностного сопро тивления лежат в пределах 20-300 Ом на квадрат (Ом/Г)) (1).

Этот способ не позволяет получать высокоомные резисторы.

Из известных технических решений наиболее близким к изобретению оо технической сущности является способ изготовления тонкопленочных резисторов на гибкой подложке, включающий формирование резйстивных элементов, реперных знаков и проводящих элементов Г2 ) .

Недостаток этого способа — большой разброс номиналов резисторов .

Цель изобретения — уменьщение разброса номиналов резисторов.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления тонкопленочных резисторов на гибкой подложке, включающем формирование реэистив ных элементов,. реперных знаков и проводящих элементов, формирование резистивных элементов и реперных знаков осуществляют локальным осаждением резистивного материала на подложку, после чего маскируют реперные знаки, а проводящие элементы формируют методом фотолитографии, причем локальное осаждение резистивного материала на подложку осуществляют через свободную маску.

Пример. Через свободную маску на полиимидную подложку наносят методом вакуумного испарения резистив ные элементы и реперные знаки. Маска в данном случае, кроме своей основной функции, играет роль теплового экрана, предохраняющего подложку от перегрева при нанесении тугоплавких материалов. Затем маскируют реперные знаки и наносят сложной проза 3004485

Составитель Н. Серебрянннкова l

Техред Т.Маточка КоРРектоР О. Билак редактор Т. Парфенова

Заказ 1805/36 Тираж 954

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подпн с ное

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул, Проектная, 4

Docqe чего методом фотолитографии с использованием селективных тра.вителей, формируют контактные площадки соединенные между собой пережчками для образования электрической цепи, защищают резистивные элементы дйэлектрической пленкой, производят гальваническое осаждение металлов, .повышающих проводимость и паяемость контактных площадок при сборке ГИС и разделяют гибкуюподложку на отдель- 10 ные элементы.

Способ изготовления тонкопленоч- ных резисторов повышает процент выхода годных иэделий на гибкой подлож- ке за счет: снижения теплового воэ- 15 действия на материал гибкой подложки при высокотемпературном процессе нанесения резистивных элементов, выполнения контактных площадок и проводников методом фотолитографии, 2О обеспечивающим повышение точности изготовления и совмещения проводящих элементов с резистивными. элементами. (Формула изобретения

1. Способ изготовления тонкопле— ночных резисторов на гибкой подложке, I включащий формирование резистивных элементов, реперных знаков.и проводящих элементов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью уменьшения разброса номиналов резисторов, формирование резистивных элементов и реперных знаков осуществляют локальным осаждением резистивного материала на подложку, после чего маскируют реперные знаки, а проводящие элементы формируют методом фотолитографии.

2.,Способ по п. 1, о т л и ч аю шийся тем, что локальное осаж.дение резистивного материала на I подложку осуществляют через свободную маску.

Источники инфомарции, принятые во внимание при экспертизе

1. Электроника. M., "Мир", т.5.1,Р 15 (541), 1978.

2. Ермолаев Ю.П. и др. "Конструкция и технология микросхем (ГИС и

ВГИС). М., "Советское радио", 1980, с. 34-38 (прототип ).