Резистивная паста
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (i»1005196 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27. 07. 81 (21.) 3323932/18-21
Р1 М g> з с присоединением заявки ¹
Н 01 С 7/00
Государственный комитет
СССР по делам изобретений н открытий (23) Приоритет
Опубликовано 15,03,83, Бюллетень 9 10
Дата опубликования описания15.03.83 (53) УДК 621. 316. .8(088.8) В.И.Безруков, М.П.Дубинина, М.Е.Голоденко,, A.Т.Самсонов, A.Ã.Âoðoïàåâ, A.Â.Ïèñëÿêoâ, В.З.Петрова и Р.Ф.Шутова (72) Авторы изобретения (71) Заявитель б м (54) РЕЗИСТИВНАЯ ПАСТА
0,5 7,5
47,5-50,5
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, в микроэлектронике в технологии изготовлении толстопленочных резисторов и микросхем.
Известна резистивная паста, BKJIKчающая диоксид рутения, стеклофритту и органическое связующее (1j.
Недостатками этой резистивной пасты являются относительно высокий температурный коэффициент сопротивления и низкая стабильность удельного поверхностного сопротивления.
Наиболее близкой к изобретению по технической сущности является резистивная паста," включающая диоксид рутения, оксид никеля, гексатанталат меди, гексатанталат марганца, стеклофритту и органическое связующее (2 ).
Недостатки этой резистивной пасты заключаются в относительно высоком температурном коэффициенте сопротивления, удельном поверхностном сопротивлении и недостаточной стабильности электричесйого сопротивления.
Цель изобретения — снижение удельного поверхностного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления .и йовышение стабильности электрического сопротивления.
Поставленная цель достигается тем, что реэистивная паста, включающая ди- оксид рутения, оксид металла УМ группы, гексатанталат меди, гексатанталат марганца, стеклофритту и органическое связующее, дополнительно содержит оксид меди и в качестве оксида металла уй группы — оксид родня при.следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ъ:
Диоксид рутения(Ви02) 6,76-7,03
Оксид родия (Ит205) 0,5-5,0
Оксид меди СиО 12, 24-16,97
Гексатанталат меди (Cu+Ta0019.820) 0,5-6.,0
ГЕксатанталат марганца (Мп+ТабО -Н2O)
Стеклофритта
Органическое связующее Остальное
При этом оксид меди и диоксид рутения введены в пасту в виде мелкодисперсных порошков 3.СиО.Ru02, 25 .взятых в .следующих количествах, вес.Ъ: оксид меди (CuO) 63,34 и диоксид рутения (НиО2)35,66, или
4 Cu"RuO>, взятых в следукщих количествах, вес.Ъ: оксид меди(СиО) 70.,64;
ЗО диоксид рутения (Ru02 )29,36..
1005196
В качестве стеклофритты используют стекло марки Ru-34, а в качест,ве органического связующего - смесь, состоящую из 15 вес.ч. ланолина, 3 вес..ч. вазелинового масла и 1 вес.ч. циклогексанола (ЕТО.035.304 ТУ ).
Для получения резистивной пасты приготовлено пять смесей компонентов. . Каждую смесь приготавливают следующим образом. Порошкообраэные компоненты— диоксид рутения, оксид родня, оксид 10 меди, гексатанталаты меди и марганца и стеклофритту — перемешивают в тече- ние 40 мин в агатовой ступке с пес.тиком, затем вводят органическое связующее и вновь перемешивают в 15 течение 20-30 мин. Полученную пасту выгружают в плотно закрывающиеся банки из темного стекла, крышки которых оклеивают полиэтиленовой лентой с липким слоем.
Приготовленные пасты наносят на керамические подложки из 22ХС методом трафаретной печати на чстановке ДЕК-1202 по 20 резисторов размером 2х2 мм на каждую подложку, под2 сушивают при температуре 300+10OC в течение 10 мин и вжигают в конвейерной печи ДЕК-840. Скорость подъема температуры при вжигании 20-25 С/мин.
Время выдержки при пиковой температуре 15 мин. Относительная влажность при вжигании 60-75%. Оптимальная пиковая температура 700 и 748 С.
Электросопротивление резисторов измеряют универсальным вольтметром
В7-18, ТКС по методике ЕТО 032.546 ТУ в интервале температур +20 — +125 С и от +20 до -55 С.
Составы приготовленных резистивных паст и характеристики изготовленных на их основе толстопленочных резисторов приведены в таблице, Изобретение позволяет снизить температурный коэффициент сопротивления, повысить стабильность электрического сопротивления, уменьшить удельное поверхностное сопротивление и сократить расход дефицитного дорогостоящего диоксида рутения в технологии изготовления толстопленочных резисторов.
1005196
1 !
1
I
1 1
I
l !
«Р
Ю
4 Ъ
4 !
« (Ч
Ю с
Ю! х о
Ц
И о н и
1 о
OI O
In . г4
4Ч 1
4Ч
СО
«
«!
М
«-4!
РЪ
° Ф
Ю
«-4
СМ
«
СЧ
1 х х н и х а
Э н
Х
l6 а
I6
1 с
4 Ъ
%-1
4"Ъ
10
Ч) « ф
М
«
4«Ъ
О\
ОЪ
1 %О
Ю
C) 1
I
1 0Ъ с
С Ъ
1 <Ч
1 хх-о Й
III
4.и х ае Р\
owu ф
О 4 с с
О 4Ч
4Ч СЧ о о
М «
ОЪ
СЧ «-4
44Ъ
4п
4Ч
Ю
«
Ю
4Ч
1
1
I и
1 Х A а
Ф 6 е нон
u z
1 !
1
I
IA
Ю
4!Ъ . «
Ю аА
I х п3
l6 I н х
I6 н 46 и э! хна
Э Ф !б
Овине
I
I aA с ! о
u !
МЪ а о с. с
4-4
«
Э I
Х I
I 1 с
1 Я н !
I
I ! о с
I Ю
l6
И
I 1
6 46 и н ххн
Ф 46 !б
r нц о
Ю
«
С6 1 о х
Я 1
L I
Н I
u I
Х I
IaI
Э 1 а 1
IO 1
I6 I
Н-I
u I о !
1
I «l
1 СЧ !
4Ч
1 «.4
Ц х х иц
OX!
ОЪ
« аО
«4 т4
«3
4Ч
М
4Ч
%.« о
« Ф
«-4
Ц IC х х и Ц х и о.а
1
1 Ю ъ !
4Ъ
«3
IA I«I
« % о б
44Ъ с
C) М м
U I
I
1
1
1 ц х х х их х э
OI х» х(а!
I
ac!
1 °
1 О
4"Ъ о
М « О 1
4«1 IO
О с с 4О
Ю !
aCI! -ъ
I o
1 1<Ч
1 1 + I
1 I 140
I aCI с
1 1 an I IA и1 Л
1О
1 1
1«I 1
11 I an 1
1 о сч
l «4 l «.4 1
I ° 1 + 1
I u 1- 1ап
I М I 1 I
I Е4 1 1 СЧ ! о
III l 1СЧ
o»+
Ch о н 1 Э Ф 1
u l gog ol х1хо е.! ЭОХ
eIХХНМ1сч а!О аОХ1о
I ц ц ах
I Xeg1« н r(o ! о >и —, 1 1 1, 1
om use I
I ЦНХ ICla
eeох Iñ÷ цо аэ
1 о
l !6 1 eu
Фабио
g ь1л
ZI XIC
Э 46 М Х 3 наахн
«э со а
« « М
4Ч СЧ 4Ч! !
1О СЧ
ОЪ о
РЪ IA 4
+! +! +!
IA «-1
СР 1 CO
% % «
IA 4Ч «-1 в а an о а
« « ъ с %
Г- I О В
«4 «4 IA 4 «3 в о. о с ъ ъ . ь
О Г .СЪ .4Ч
1005196
Формула изобретения
Составитель.IO. Герасичкин
Редактор М. Петрова Техред Е.Харитончик Корректор И.Шулла
Заказ 1913/71 Тираж,701 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Резистивная паста, включающая диоксид рутения, оксид металла УШ группы,. гексатанталат меди, гексатанталат марганца, стеклофритту и органическое связующее, о т л и ч а— ю щ а я с я тем, что, с целью снижения удельного поверхностного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления и повышения
30 стабильности электрического сопротивления, она дополнительно содержит, оксид меди и в качестве оксида металла УШ группы — оксид родия при следующем количестве соотношения ком-15 понентов, вес.Ъ:
Диоксид рутения (RuOg) 6,76-7,03
Оксид родня (Rh>0>) 0,5-5,0
Оксид меди (CuO) 12,24"16,97
Гексатанталат меди (Cu Ta60. 9- Н20) 0,5-6,0
Гексатанталат марганца (Мп+Та60 9 Н20) . 0,5-7,5
Стеклофритта 47,5-50,5
Органическое.связующее Остальное
Иаточники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР
В 491161, кл. Н Ol С 7/00, 1975.
2. Авторское свидетельство СССР по заявке 9 3312920/18-21, кл. Н 01 С 7/00, 1981.