Способ химического травления монокристаллов на основе окиси бериллия

Способ химического травления монокристаллов на основе окиси бериллия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ, включающий химическую полировку и селективное травление , отличающийся тем, что, с целью выявления дефектов струк-. туры монокристаллов хризоберилла, , химическую полировку ведут в расплаве метафосфата натрия при 9001000°С в течение .30-40 мин, а селективное травление проводят в раст плаве едкого калия при 360-400 с в течение 5-20 мин.

СОЮЗ СООЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСН ИХ

РЕСПУЬЛИН

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

Н ARTOPCKOMV (ВИДЮЙЛЬСТВУ е

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР .

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ,(21) 2772677/23-26. (22) 31. 05. 79 (46) 23.03.83. Бюл. 9 11 (72) E.Ã. Цветков и В .Н. Матросов (71) Институт геологии и геофизики

Сибирского отделения АН СССР (53) 621.315.592(088".8) .(56) 1. Austerman 5.8.Е.tching studies

of. beryllium oxide crystals. — J.Hat.

Sci„ 1967, 2, 9 4, р. 378-387 (прототип).

„„SU;„, I 006552 А ( (54) (57) СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ

ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ, включающий химическую полировку и селектнвное травление, отличающийся тем, что, с целью выявления дефектов структуры .монокристаллов хризабернлла, химическую полировку ведут в расплаве метафосфата натрия при 9001000оС в течение 30-40 мнн, а селективное травление проводят в рас-, -плаве едкого калия при 360-400 С в течение 5-20 мин.

1006552

Изобретение относится к исследованиям реальной структуры кристаллов, в частности монокристаллов хризоберилла (Ве Лl>0+), методом химического травленйя и позволяет выявлять и идентифицировать различные дефекты кристаллической структуры — двойниковые, блоковые и малоугловые границы, отдельные дислокации и т.д.

Монокристаллы хризоберилла являются новым перспективным материалом, представляющим интерес для технологии полупроводников, квантовой электроники, рентгеновской доэиметрии и других отраслей науки и техники.

Высокие требования к структурному. совершенству монокристаллов, предъявляемые их использованием, обуславливают необходимость выянления и контроля реальной структуры кристаллических материалов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ химического травления монокристалпов Ве0, включающий химическую полировку поверхности монокристалла распланом смеси молибдата лития и метафосфата натрия, взятых в мольном соотношении 1:1, при температуре свыше 1100 С в течение 1 ч и последующее селективное травление распланом смеси молибдата лития и буры при 800оС в течение 10 мин (13.

Недостаток известного способа— невозможность выявления дефектов структуры монокристаллов хризоберилла.

Цель изобретения — выявление дефектов структуры монокристаллов хризоберилла.

Поставленная цель достигается тем, что химическую полировку ведут н расплаве метафосфата натрия при 900-1000 С в течение 30-40 мин, а селективное травление проводят в расплане едкого калия при 360400 С в течение 5-20 мин.

I1 р и м е р 1. Выявляют дефекты кристаллической структуры монокристалла хризоберилла, выращенного о в направлении $010) .

Образцы в виде пластин толщиной

1,0-1,5 мм, вырезанных из этого кристалла, в направлении, перпендикулярном оси вытягивания, т.е. в

15 плоскости (010), повергают химической полировке в расплаве метафосфата натрия при 900 С в течение 30 мин.

Высокое качество полировки дает ровную, гладкую поверхность пластин.

Затем в течение 10 мин проводят селектинное травление в расплане КОН при 360 С. Травители содержат н платиновых тиглях, образцы погружают н травители с помощью держателей, иэg5 готовленных иэ платиновой fIpoB0310KR

Требуемой. температуры травителей достигают с помощью электропечи сопротивления. Получают ямки травления оптимальных размеров. Их изучают под оптическим -микроскопом и фотографируют.

Примеры, приведенные н таблице, обосновывают выбор температур и времен травления.

Производят оценку плотности дис.. локаций (ямок травления).выращенных монокристаллов хризоберилла: почти все разнообразие плотностей дислокаций укладывается н один порядок—

40 n""10 Э см 2, где п = 1-10.

1006552

Х Х» I

ZIZÕZ

9 th 9 Ill 3 О»

2 а»б хек хэ а,бас

z2! неон ех 2weU цхкао иох Imo хцхн= оь б оэе но оххнххх

1»ихмХЭ

ОО»бЦZeU х ц а !» »б е о

K L I» m l4 Ц Х

9

Ц

6\ ф

0 н к

Х 1

Х 1

Ю

Ю

cl

Ю

СО

Г Ъ

Х 1 х м

СС С Ц

2хае 1

1 х ! e

1 Ц ! в ! u

I г

1

I

1

1 и.

9 б

z о а х

Ц о

И н

9 н

А

Ц

Р»

C о

М

Xz а5

Ю

С 1

Ю

РЪ

Ю

СЧ

1

1 Ю

»» Ъ

I и о., »

Ю

C)

Ю

»-!

Ю

C)

»-»

»-»

1 1

Я»б М

:> 0 1

0НФ х

Ц U ха

° CO -» ГМ

1 Ф

1

I а

r»

l х

Ф

Ф и н

9 н

»б

Ц

Э а

I х х 9 х Е о и аи н

Хээ ц хц оох

R 0

И о х

Щ с

Н Э 9 иоц

ФХХ

Р Pl 9 эха

4б х н

ЯМЭФ фе Х Ц

Я 9ФХ

;лице

Ц -дх

Ф I <б ц або иЯннz

° ЭЦ»б оеооа х ах z»n

ХФХОО эихаo агонии о

1 О9

onн хни хиох хоЦ2 н — z х эхе» х 2 ах еххыО. иех а чхо,э х б! Ях % х»б а б» л

2 0,9 о а жнх на о

gI ° О нж со

UQ ИЮ (б Х с-»

Н ъ сы эц

»б

U Х

oo

ХОФ хво аале

Эни и 9 охх й»бх

НИХ

ХЯХХ

»б е х о

Х б» 0, Цэ Ех

»б Я Х Ц анхо

Г-» о z a

1 ХР\

I!I Z O

ХХ0

НФФ х ц

Э х !»!

Ц (б»б еаа, U Н х хо2 х !» ц

2о9 х

I 1

IXI х!! е

О l 2ец ах

0»NФХNЭХI»9 х к и ц х е ц х»б и ц»бошэхиххэ

ОХ eа ХЭ иб оазис 82m ххнхмо»б»а

zI 9 оахако

»бОХ Л Z>mz>C

ХЦЦН Н9OКО иеоххмаийхх эzgаа»ахх

-zaeоеa-ее х н иоххеа

Е -moeéиZOÍ хм -ехеенn»бe ххсЕхнциихн

Д

ooz аЦР х х цен охх и е н ц е5й

ы о их! во а»б х и

Е х хааа

Х И

2e! о

ХЕхй. Эо

;: и янаи

99О йнэх и ах

ZO 0, Ф Х Ф х б! хиио

Ф Н Ф Й

Ц Я б мххох ецz40 ахеоц нкххи

1006552

I 1

ОН) оех о э а, „F33

I yern! кйа

) I Ю сч

OI

0 е е ц

«d x о

Рхо ь (сЪ 1

I

I ! ь и о с ч

Ю Ф

ГЧ ь (Ч,1

"1

I

I ж

Е х анхо е х)". яэп3е

O ttt m It."

)" .н о о ое х к еи э а е хАн х хнха

Ю м

Оъ

Ю

1 Ю

1 сп

CO

Х 1

ue а м и и хх но

A 4

):о а и с

1 й

o l

1 6l

)В)

earn+ хзх цme" эхае онн "

1 1

5о х а х х н о

Ц

e g

): о ь Х е е с4 х хл д о. о а х п1 ц х о ц

)" о

I О

1 а-Е н о

u x е о

y u е я

Х ш

1 I

)))И! Н) х tn o.e

nIO ttt X е х ах х х х):л

n)5хam о, )еаю аюхда) оiо он х e vo йэй г н t." н-к ж ее я,ое мн х ).. н

1шхе х эх о агьиако е а х RI3 í цн ца, хе

Х 1 I й>1

tc а9 мах о хоо ф g н

BAY

o t о

Rj5F

I ItI о

3С

Й Й о хн м э н ) э 3 <б х

mon,e

3

В

О 1Я I ое х а

1006552

Составитель В. Рыцарев

Редактор Н. Егорова Техред 0 ° Неце Корректор Е. Рошко

Заказ 2059/44 Тираж 368 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Предлагаемяй способ пригоден для использования в заводских условиях при внедрении в промышленное

1 . производство нового перспективного материала — монокристаллов хризоберилла.