Импульсный усилитель

Импульсный усилитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, содержащий первый транзистор, включенный, по схеме с общим эмиттерс «,к коллекD- D вх Г тору которого подключен резистивньй делитель, а в цепь эмиттера включен резистор обратной связи и конденсатор подключенный между средним вывод %4 резнстивного делителя и эмиттером первого транзистора /от ч а ю щ и й- Ч с я тем, что, с целью повышения быстродействия введен второй транзистор , которого соединен с базой первого транзистора и через дополнительный резистор - с соответствующей шиной питания, а база и коллектор соединены соответственно с общей шиной и выводом ре|зистивного делителя.. 9 -Олп 00 4

„.,Я0„„1007184 . А

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (5р Н 03 Р 1/34

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОП4РЫТИЙ

,(21) 3240615/18-09 (22) . 23. 01.81 ,.(46) 23 ° 03 ° 83.. Бюл. 9 11 (72) И.Н.Омельяненко и A.A.0ìåëüÿненкО (71) !Московский институт радиотехники, электроники и автоматики и Объединенный институт ядерных. исследований (53) 621. 375 ..024 (088. B) (56) 1. Заявка фРР 9 1537683, кл. Н 03:Х 3/26, 1967 (прототип) ° (54) (57) ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, содержащий первый транзистор, включенный по схеме с общим эмнттером,к коллектору которого подключен резистивный делитель, а в цепь эмиттера включен резистор обратной связи и конденсатор подключенный между средним выводом резистивного делителя и эмиттером первого транзистора ро т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения быстродействия введен второй транзистор, эмнттер которого соединен с базой первого TpBHBHcTopR и через дополнительный резистор - с соответствующей шиной питания, а база и коллектор соединены соответственно с общей шиной и средним выводом ре зистивного делителя, 1007184

Ссотавитель Ю.Рогаткин

Редактор Н.Пушненкова Техред A.A÷ Корректор A.Ôåðåíö

Эакаэ 2153/76 Тираж 934 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Е-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, r.Ужгород, ул.Проектная,4

Изобретение относится к электрон ной технике H может использоваться в качестве усилителя сигналов, генерируемых датчиками с большим внутренним сопротивлением.

Известен импульсный усилитель, содержащий первый транзистор, включейный по схеме с общим эмиттером (ОЭ), к коллектору которого подключен резистивный делитель,:а в цепь эмиттера включен резистор обратной свя- (О зи, и конденсатор, подключенный между средним выводом .реэистивного делителя и эмиттером первого транзистора $1J .

Однако известный импульсный уси- )5 литель обладает. низким быстродействием.

Цель изобретения — повышение быстродействия„

Цель достигается тем, что в импульсный усилитель введен второй транзистор,эмиттер которого соединен с базой первого транзистора и через дополнительный резистор с соответствующей шиной питания, а база и коллектор — соответственно с общей шиной и средним выводом резистивного делителя.

На чертеже представлена принципиальная схема импульсного усилителя.

Импульсный усилитель содержит транзистор 1, включенный по схеме

ОЭ резистор 2 обратной связи, конденсатор 3, резистивный делитель 4, транзистор 5 и дополнительный резистор 6. импульсный усилитель работает следующим образом.

Входной ток поступает в эмиттер транзистора 5:и практически беэ потерь .в виде коллекторного тока поступает в усилительный контур транзистора 1 (конденсатор 3, эмиттер,коллектор,резистивный делитель 4).Коэффициент усиления этого контура определяется, отношением сопротивления нагрузки и сопротивлением плеч резистивного делителя 4.

:Можно убедиться, что -при определенных соотношениях ток, поступающий в нагрузку, практически равен входному току импульсного усилителя °

Таким образом, транзистор f направляет за счет усилительных свойств контура входной ток в нагрузку при максимальном быстродействии.

Быстродействие достигается оптнмальным выбором параметров усилительного контура транзистора 1. При этом учитывается, что значительное усиление контура (уменьшение величины сопротивления верхнего плеча резистивного делителя 4) уменьшает быстродействие, а.слишком малое усиление также приводит к уменьшению быстродействия за счет возрастания постоянной времени в цепи коллектора транзистора 1.

Таким образом, за счет введения новых элементов и связей удается в несколько раз повысить быстродействие при,том же коэффициенте усиления по току.