Способ непосредственного измерения диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах

Способ непосредственного измерения диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

¹0 101134

Класс 21а, 71

СССР

Б1;.„, - ;

ОписАние иаовеетеннв:

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Р. А. Валигов

СПОСОБ НЕПОСРЕДСТВЕННОГО ИЗМЕРЕНИЯ

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ МАТЕРИАЛОВ

НА СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ

Заявлено 13 марта 1954 г. за ¹ А-2212/450322 в Чинистерство ралиотехнпческой промв|ппенности

;1 = (1 В)

B = †-(1 агс sin e

e- \ е

Для осуществления непосредственного измерения диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах предлагается образец испытуемого материала в форме эллипсоида вращения подвешивать на кварцевой нити внутри волновода и определять искомую диэлектрическую проницаемость по углу поворота образца под действием пондеромоторных сил электромагнитного поля.

На чертеже показана схема устройства для осуществления предлагаемого способа.

По волноводу прямоугольного сечения, присоединенному к генератору 1 сверхвысокой частоты, распространяются волны типа 01в. Волновод расположен так, что его широкая сторона лежит в вертикальной плоскости. Поперек волновода вертикально проходит ось 2, подвешенная на кварцевой нити 3 крутильных весов. На оси укрепляется образец 4 испытуемого материала с диэлектри. ческой постоянной г, выполненный в виде эллипсоида вращения и повернутый под углом о- к оси волновода.

Для устранения отражения волны в месте нахождения образца — эллипсоида вращения — на стенке волновода располагаются реактивные диафрагмы. Величина скручивающего момента М связана с напряженностью Е электромагнитного поля следующим образом:

> И = — ab- — з1п 2 а. Е-, 3 (А —, - С). (13 —,— С) где: а и b — полуоси эллипсоида вращения (а (b)), A и  — постоянные, зависящие только от эксцентриситета е эллипсоида, 1 и С= — ——

=- (— 1

Величина и направление поворота эллипсоида вращения регистрируют. ся с помощью схемы, включающей лампу 5, зеркало 6, трубу 7 и шкалу 8.

Напряженность E электромагнитного поля в точке расположения образца 4 определяется непосредственно или по величине мощности с помощью измерителя мощности 9.

Таким образом, имея образец материала в виде эллипсоида вращения 4о j() f J Q4

Предмет изобретения

Отв. редактор И. В. Макаров

Л1338)2 от 6/Х 1955 г. Стаидартгиз. Объем О.!25 п. л. Тираж 400. Цена 25 коп.

Типография пад-ва «Московская правда», Потаповский пер., 3. Зак. 4932 с известными геометрическими размерами и, определив напряженность поля в волноводе, можно по углу поворота этого образца найти его диэлектрическую проницаемость.

Способ непосредственного измерения диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах, отличающийся тем, что образец испытуемого материала в форме эллипсоида вращения подвешивают на кварцевой нити внутри волновода, и искомую диэлектрическую проницаемость определяют по углу поворота образца под действием пондеромоторных сил электромагнитного поля.