Усилитель-формирователь

Усилитель-формирователь

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК . у(50 Н 03 3 3 3

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

Il0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21 ) 3361813/18-21 (22) 04 ° 12. 81 (46) 23.04.83. Бюл. Р 15 .(72) Т.В. Золотарей, В.С. Хорошунов, А,И. Стоянов и А.Н. Сорокин (71) Воронежский политехнический институт (53) 621.373(088.8) (56) 1. Караханян Э.Р. Динамические элементы со структурой МДП. "Советское радио", 1979, с. 99.

2. Авторское свидетельство СССР

9 525247, . H 03 K 19/08, 17 ° 04;74. (54)(57) УСИЛИТЕЛЬ-ФОРМИРОВАТЕЛЬ, со. держащий разрядный и зарядный МДП- транзисторы, первый, второй, третий нагрузочные МДП-транзисторы, первый и второй конденсаторы, переключающий

МДП-транзистор, входную и выходную шину, шину питания и общую шину, затворы разрядного и переключающего . МДП-транзисторов объединены и подключены к входной шине, а их истоки соединены с общей шиной, сток разрядного МДП-транзистора соединен с .истоком зарядного МДП-транзистора и с первой обкладкой первого конденсатора, вторая обкладка которого подключена к стоку первого и истоку

„„Я0„„ 1О14130 А второго нагрузочных МДП-транзисторов исток первого нагруэочного МДП-тран- зистора соединен со-стоком переключа ющего МДП-транзистора и с первой обкладкой второго конденсатора, вторая обкладка которого подключена к истоку третьего нагруэочного МДПтранзистора, объединенные сток и эат вор которого соединены со стоками зарядного и второго нагрузочного .МДП-транзистора и с шиной питания, отличающийся тем, что, с целью повышения выходного напряжения логической единицы, затворы за. рядного и первого нагрузочного МДП- . транзисторов подключены к второй об-, кладке первого конденсатора, затвор g четвертого нагрузочного МДП-транзисто ра соединен с второй обкладкой вто.рого конденсатора, затвор и сток второго нагрузочного МДП-транзистора С соединен с шиной питания, исток четвертого нагрузочного МДП транзистора а объединен со стоком дополнительного переключающего МДП-транзистора и выходной шиной, затвор дополнительного переключающего МДП-транзистора подключен к входной шине, а,истокк общей шине.

1014130

Изобретение относится к импульсной и вычислительной технике и может быть применено в каскадах логических устройств, формирующих выходное напряжение с высоким уровнем логической "1" ° 5

Известен усилитель-формирователь на МДП-транзисторах, содержащий пере ключательный МДП-транзистор, затвор которого подключен к входной шине, исток — к шине нулевого потенциа- 10 ла, а сток соединен с выходной шиной и истоком нагрузочного МДП-транзистора, затвор которого подключен к истоку МДП-транзистора предварительного заряда и первому выводу ус- коряющего конденсатора, сток и затвор

МДП-транзистора предварительного заряда объединен со стоком нагруэочного МДП;транзистора. Второй выВод, ускоряющего конденсатора подключен к выходной шине. При формировании выходного напряжения логической "1" его амплитуда относительно шины нулевого потенциала достигает значения величины питающего напряжения Г1

Недостатком устройства является 25 низкое напряжение логической "1", поскольку при построении логических устройсв на МДП-структурах часто возникает необходимость в формировании выходного напряжения, ЗО превышающего величину питающего напряжения в два и более раэ.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является усилитель-формирователь на З5

МДП-транзисторах, содержащий разрядный и зарядный МДП-транзисторы, первый и второй и третий конденсаторы, переключающий МДП-транзистор, входную и выходную шины, шины пита- 40 ния и нулевого потенциала. При этом затворы разрядного и переключающего МДП-транзисторов объединены и подключены к входной шине, истоки указанных.МДП-транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала, 45 сток разрядного МДП-транзистора соединен с истоком зарядного МДПтранзистора и с первой обкладкой пер .вого конденсатора, вторая обклад.,ка которого подключена к стоку 5О, первого и истоку второго нагрузочных- МДП-транзисторов, исток ..первого нагрузочного МДП-транзистора соединен со стоком переключающего МДП-транзистора и с первой обкладкой второго конденсатора, вторая обкладка которого подключена к истоку третьего нагрузочного МДП-транзистора, объединенные сток и затвор третьего нагрузочного МДП-транзистора соединены со стоками зарядного и второго» нагрузочного МДП-транзистора и с шиной питания. Затвор четвертого нагрузоч. ного МДП-транзистора объединен со стоком этого же МДП-транзистора и ф5 с шиной питания, исток четвертого нагрузочного МДП-транзистора соединен с затвором второго нагруэочного МДП-транзистора и с первой об-: кладкой третьего конденсатора, вторая обкладка которого связана с входной шиной, затвор первого нагрузочного МДП-транзистора .подключен к истоку третьего нагрузочного

МДП-транзистора, а затвор зарядногс

МДП-транзистора соединен с истоком первого нагрузочного МДП-транзистора и с выходной шиной 2 .

Недостатком известного устройств является низкий уровень логической

Il1 П

Цель изобретения — повышение выходного уровня напряжения логической единицы.

Поставленная цель достигается тем, что в усилителе-формирователе, содержащем разрядный и зарядный МДПтранзисторы, первый, второй, третий нагрузочные МДП-транзисторы, первый и второй конденсаторы, переключающий МДП-транзистор, входную и выходную шину, шину питания .и общую шину, затворы разрядного и переключающего МДП-транзисторов объединены . и подключены к выходной шине, истоки указанных МДП-транзисторов соединены с общей шиной, сток разрядного МДП-транзистора соединен с истоком зарядного МДП-транзистора и с первой обкладкой конденсатора, вторая обкладка которого подключена к стоку первого и истоку второго нагрузочных МДП-транзистора, исток первого нагруэочного МДП-транзистора соединен со стоком перключающего

МДП-транзистора и с первой обкладкой второго конденсатора, вторая обкладка которого подключена к истоку третьего нагрузочного МДП-транзистора, объединенные сток и затвор которого соединены со стоками зарядного и второго нагрузочного МДП-транзистора и с шиной питания, затворы зарядного и первого нагрузочного

МДП-транзисторов подключены к второй обкладке первого конденсатора, затвор четвертого нагрузочного МДПтранзистора соединен с второй обкладкой второго конденсатора, затвор и сток второго нагрузочного

МДП-транзистора соединен с шиной питания, исток четвертого нагруэочного МДП-транзистора объединен со стоком дополнительного переключающего

МДП-транзистора и выходной шиной, затвор дополнительного переключающего МДП-транзистора подключен к входной шине, и исток его подключен к общей шине.

На чертеже приведена схема усили- теля-формирователя.

Устройство содержит разрядный 1, зарядный 2 и переключающий 3 МДП1014130

0 = ЗЕ. - 4Ц эых. пит. Ао9>

Составитель В. Шагурин

Редактор О. Юрковецкая ТехредТ.Фанта Корректор Е. Рошко

Закав 3038/67 Тираж 934 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Фйлиал ППП "Патент", х. Ужгород, ул. Проектная, 4 транзисторы, первый,4, второй 5 и дополнительный переключающий б МДПтранзисторы, третий и четвертый нагрузочный МДП-транзисторы 7 и 8, первый и второй конденсаторы 9 и 10, шину 11 питания, общую входную и вы ходную .шины 12 - 14. Затворы разрядного 1, переключажкцего 3 и дополни-. тельного переключающего МДП-транзисторов объединены и подключены к входной шине. Истоки этих МДП-транзисторов, соединены с общей шиной 12.

Сток разрядного МДП-транзистора 1 соединен с истоком зарядного МДПтранзистора 2.и с первой обкладкой .первого конденсатора 9. Затворы зарядного 2 и первого нагруэочного 4

МДП-транзисторов объединены и подключены к истоку первого нагрузочного МДП-транзистора 4, истоку вто. рого нагрузочного МДП-транзистора 5 и к второй обкладке первого конденсатора 9. Исток первого нагрузочного МДП-транзистора 4 соединен со стоком переключающего МДП-транзисто. ра .3 и с первой обкладкой второго конденсатора 10, вторая обкладка которого подключена к соединенным вместе затвору и стоку четвертого нагрузочного МДП-транзистора 7, и стоку третьего нагрузочного МДПтранзистора 8.

Устройство работает следующим образом .

При подаче на входную шину напряжения логической "1" открывают-. ся разрядный 1, переключающий 3 и дополнительный переключающий 6 .,МДП-транзисторы. На их стоках устанавливается низкий уровень напряжения и на выходной шине формиру ется уровень лоГического "0". Первый и второй конденсаторы 9 и 10 эа» ряжаются до напряжения на величину порога меньшую, чем напряжение питания.

При поступлении на входную шину

13 напряжения логического "0" МДПтранзисторы 1, 3 и 6 закрываются..

Начинается процесс формирования выходного напряжения логической "1".

10 Так как к затвору и истоку зарядного МДП-транзистора 2 подключен заряженный конденсатор .9., то. заряд-.:. ный транзистор 2 открыт и на стоке разрядного МДП-транзистора напряже 5 ние увеличится от низкого уровня до напряжения питания. Напряжение на второй обкладке первого.конденсатора 9 относительно общей шины пра этом на величину порога меньше удвоенного напряжения питания. Через первый нагрузочный транзистор 4 предварительно заряженный второй конденсатор 10 оказывается включенным последовательно с первым конденсатором 9. Через четвертый нагрузочный МЦП-транзистор 7 вторая об» кладка второго конденсатора 10 подключается к,выходной шине. Таким образом нагрузочная емкость выходной шины оказывается подключенной

30 к последовательно включенным конденсаторам 9 и 10. При этом выходное напряжение логической "1" на выходной шине определяется выражением где Eä„-f — напряжение питания, U — пороговое напряжение МДПтранэйсторов.