Способ изготовления фольговых тензорезисторов

Способ изготовления фольговых тензорезисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

-.ССЦФЗМ М

PECFS ÁßÈH

NsD G 01 В 20

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н:ILITOPCNOhhf СЮИДВТВ/ЬСЧЮУ

ГОСУДДРСТВЕННЬЮ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И 4ЛМРЫТИЙ (21) 3393886/25-28 (22) 09.02..82 (46). 23.05.83. Sen. 11 19 (72) С;А. Николаева и Л.H. Курилова (71) Научно-исследовательский и конструкторский институт испытательных машин, приборов и средств измерения масс . (53) 53.1.781.,2(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

l1 725092> кл, 4 01, В 7/18-, 1978.

2. Авторское свидетельство СССР

И 7М221, кл. 6 01 В 7/20» l978

{прототип). (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОЛЬГ08НХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ,- заключаюн ййся в том, что на одну из поверхностей

„,SU„„ i 019230 A тензочувствительного элемента, предназначенную для соединения с иссле" дуемым объектсж, наносят электроизоляционный слой полиамидоимидного ла" ка и термообрабатывают,этот слой, о т л и ч. à ю щ и " с я тем, что, с целью повыаения. стабильности метро логических. характеристик тензоре». зисторов, на заготовку из полиимидной пленки наносят слой клея на основе бутадиенакрилонитрильного каучука, термообраНатывают их совместно при 170+10©С в теченйе 40+5 мин, на-. кладывают заготовку на другую Il0верхность тензочувствительного элемента и прессу т при 170й5оС, давле- @ нии 15+2 кг/см-, выдержке 60+15 мин. 1 101 2

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензометрическим измерениям.

Известен способ изготовления фольговых тензорезисторов, заключающийся в том, что на одну иэ поверхностей тензочувствительного элемента иэ константановой фольги накладывают адгезивную сторону полиимидной пленки, затем сверху и снизу прокладывают их медной фольгой, помещают между стальными пластинами и термообрабатывают при 275+30ОС, давлении 1520 кг/см 2, и выдержке 10-30 мин (1 j

Наиболее близким IlG технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ изготовления фольговых тензореэисторов, заключающийся в том, что на одну из поверхностей тензочувствительно"

ro элемента, предназначенную для соединения с исследуемым объектом, наносят электроизоляционный слой полиамидоимидного лака и термообрабатыва" ют этот слой 70 мин при 80ОС и

30 мин при 250оС P ).

Недостатками указанных способов .являются низкая устойчивость к воздействию влаги и агрессивных сред, а также малая механическая прочность так как чувствительный элемент неза щищен, что приводит к нестабильности метрологических характеристик тензо" резисторов.

Цель изобретения - повышение ста" бильности метрологических характерис- 35 тик тенэорезисторов.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления фольговых тензорезисторов, заключающемуся в том, что на одну из поверхностей 40 тенэочувствительного элемента„ предназначенную для соединения с исследуемым объектом, наносят электроизоляционный слой полиамидоимидного лака и термообрабатывают этот слой, на заго- g$ товку из полиимидной пленки наносят слой клея на основе бутадиенакрилонит. рильного каучука, термообрабатывают их совместно при 170+10 С в течение

40+5 мин, накладывают заготовку на 0 другую поверхность тензочувствительного элемента и прессуют при 170+5 С, давлении 15+2 кг/см и выдержке 60+

95 мин. а б л и ц а 1

Зв »«» «L павле- Адгезия ние, кг/см

Температура, С

Время, мин

Неудовлетво" рительная

Хорошая

Хорошая

Хорошая

Неудо.влетворительная

Предложенным спосооом были изго 5 овлены 5 партий тензорезисторов типа КФ4 и КФ5.

Полученные тензореэисторы при испытании в среде с 983-ной влажнос. Способ осуществляют следующим образом.

На одной из поверхностей тензочувствительного элемента из константано30 2 вой фольги, прошедшей очистку, отжиг, и процессы Фотолитографии и предназначенной для соединения с исследуемым объектом, наносят электроизоляционный слой полиамидоимидного лака ПАИ-2И.

Затеи производят термообработку при режиме: температура 4 = 80 С, время выдержки i = 30 мин, температура 4=

= 250 С, время выдержки с, = 30 мин.

Скорость подъема температуры 2,5 С о в минуту.

Затеи на заготовку иэ полиимидной пленки Пи-1 наносят слой клея на основе бутадиенакрилонитрильного каучука, термообрабатывают их совместно при

E0+10 С в течение М+5 мин, сверху и снизу прокладывают их антиадгеэивной пленкой, двумя листами ватмана и помещают между стальными калиброванными пластинами. Набранный пакет помещают в пресс, в котором создается давление

15 кг/см . Пресс помещают в нагрева"ельное устройство, повышают температуру до 170 С и выдерживают á0 мин, затем проводят остывание на воздухе.

Примеры режимов прессования приведены в табл. 1.

-продолжение табл. 2

1019230

° «««««

Тензореэисторы (полним идное

Наименование характеристик 5

Тензореэистор беэ покрытия покрытие

«« °

Предельная от16 носительная деформация., 2

Надежность, циклы

0,3

Таблица 2

«

Наименование характеристик

Тенэореэистор беэ поТензореэис торы (полиимидное покрытие) крытия.Предельное отклонение сопротивления от номинального, Ж

-092

Составитель А. Босой

Редактор Т. Кргр«ышева Texoeg О. Неце Корректор Е ° Рашко

° ю и «А ас» ей « ««««

Заказ 3666/33 Тираж 602 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-ЗБ Ра«шская наб. д 4/$

« васой«»й »»М А филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, ч.тью сохранили свои первоначальные характеристики в течение 500-1000 ч, в отличие от тензорезисторов с полиимидной основой без покрытия, вышедших из строя через 5 ч.

Наличие защитной пленки улучшает также и метрологические характеристики, делает их стабильными в широком диапазоне статических и динамических деформаций.

Сравнительные данные характеристик .тензорезисторов КФ4 (полиимидное покрытие J и тенэорезисторов без покрытия представлены в табл.2.

Таким образом, преимуществами пред" ложенного технического решения являются повышение механической прочности

2в тензорезисторов, повышение устойчивости к воздействию влаги .и агрессивных сред, повышение термостабиль. ности, т.е. возможность длительной о« работы в диапазоне температур (-.200+300 С}, а также повышение стабильности характеристик тенэорезисторов в широком интервале статических и динамических деформаций.