Схема коррекции прямоугольного импульса, формируемого с помощью искусственной линии

Схема коррекции прямоугольного импульса, формируемого с помощью искусственной линии

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Мо 10! %6

Класс 21а, 14О!

Г н., СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

И. H. Мигулин

СХЕМА КОРРЕКЦИИ ПРЯМОУГОЛЬНОГО ИМПУЛЬСА, ФОРМИРУЕМОГО С ИОМО1ЦЫО ИСКУССТВЕНИОЙ ЛИНИИ

Заявлено 23 кюяя 1954 г. Яа 4 !3084/45!075

Изобретение относится к схемам, применяемым для улучшения формы импульсов, вырабатываемых импульсными модуляторами с искусственной линией, состоящей из конечного числа элементов с сосредоточенными параметрами.

Известные схемы того «e рода предназначаются для улучшения формы плоской части импульса, тогда как предложенная схема предназначена как для улучшения плоской части, так и для увелпчеш1я крутизны переднего фронта импульса.

Предлагаемая схема 11редставляет сооой дополнительное звено к искусственной линии, состоящее из пассивных элементов. Коррекция формы вырабатываемых модулятором импульсов основана ня принципе получения в дополнительном звене напряжения такой формы, которое позволяет дополнить сформированный искусственной линией пмпульс до прямоугольного.

На фиг. 1 (а) показан импульс, сформированный искусственной линией обычного типа, я фиг. 1 (б)— дополняющее напряжение U, которое необходимо сложить с показанным на фиг. 1 (а) импульсом, чтобы получить в рсзультате импульс, показанный на фи|г. 1 (в), форма которого близка к прямоугольной.

Наиболее часто в существующих импульсных модуляторах применяется схема искусственной линии с корректирующей индуктивностью (L1 на фиг. 2), рассчитываемой по методу проф. Я. С. Ицхоки, с помощью которой улучшается форма пло «ой части импульса. Hpll этом форма переднего фронта импульса получается близкой к экспоненте. В этом случае дополняющее напряжение с1 также должно иметь экспоненцияльн ю форму и легко может Оыть

ПОЛУЧЕНО С ПОМОЩЬЮ ДОПО. 1Н11ТЕЛЬнои цепочки RC1, подключенной параллельно искусственной линии, как это показано ня фиг. 2.

Поясним работу корректирующих элементов в схеме, показанной на фиг. 2.

В и сходном состоянии кондечся;ор С1 будет заряжен до напряжения Е, также кяк и K0HgeHca-,opbl г искусственной линии. В момент замыкания коммутирующего устро1,— ства К, конденсатор С1 начнет р;.зряжаться через сопротивление Р 11 нагруз1,y R, причем в нач,".лы1::::и мо1яен1 ток разряда будет

Г

i. =й-j- I(,, Если Р = Л, . р, где р — волновое сопротивление искусственной лини:., то в моме11т З-.ìûåÿHHH на llягрузке мгновенно установится напряжение U„— 0.5 Е. По мере разряда конденсатора С(ток (; будет уменьшаться по экспонепциальному закону, но одновременно с этим будет нарастать ток разряда г искусственной линии. При соответствующем подборе величи н Р и С(можно обеспечить постоянство тока через на(рузку 1, общего тока (,- + 1, B e, e, OII Te. (HO, H (IOCTOIIHство действующего на нагрузке напряжения U„., в течение всего времени действия импульса до момента окончания разряда искусственной линии. Время установления напряжения на нагрузке (длительность фронта формируемого импульса) в такой схеме не будет зависеть от параметров линии, как это имеет место и обычных схемах, а опрецел((тся только временем срабатывания коммутирующего устройства К и паразитными емкостями и индуктивностяъ(и нагрузки, монта>кн(.(х проводов и т. д.

Схема, приведенная на фиг. 2, рассмотрена только для пояснения принципа корректирования формы импульса с помощью дополнительных элементов, так как применение ее приведет к ухудшению заднего фронта формируемого импульса.

На фит. 3 приведена схема. работающая по тому же принципу, что и схема фиг. 2, но свободная от указанного выше недостатка.

1 ак видно, искусственная;(иния, состоящая из последовательных индуктивностей L и параллельных емкостей С, рассчитываемых обычным способом, дополнена еше одним звеном, состоящим из последовательной индуктивности Х.(, шунтированной сопротивлением R и емкостью

С, и из параллельной емкости С(.

Величины элементов дополнительного звена определяются из следу(Ощих зависимостей:

l- (Х-1) -У— Г

С, c„

1 — — —;

С, L, С, л„с, 1— г где:

Р, — сопротивление;

С. — паразит ая емкость п .рузк .

При выборе величины L,l следует иметь в вирду, что увеличение ее улучшает плоскую часть импульса, по вместе с тем уменьшает крутизну заднего фронта импульса.

В том случае, если паразитная емкость нагрузки С„много меньше, чем Сь формулы для расчета Я, С и С, упрощаются и с точностью до

С„ — могут быть представлены в

С1 виде:

Р=Р„;С,=С„;С,= .

Х,, Рассмотренная схема может быть с успехом применена и в том случае, если искусственная линия состоит из резонансных или антирезонансных контуров. В этом случае величины корр ектируюших элементов могут быть подобраны экспериментально.

Влияние изменения величины R u

С(на форму вырабатываемого схемой импульса показано на фиг. 4 и фиг. 5.

Следует учитывать, что рассматриваемая схема по сравнению с обычными имет несколько меньший коэффициент полезного действия изза потери части энергии в сопротивлении R, а также вырабатывает импульс с увеличенной длительностью.

Предмет изобретения

Схема коррекции прямоугольного

ИМПУЛЬСа, фОРМИР (ЕМОГО С ПОМОЩЬЮ искусственной линии, состоящей из последовательных индуктивностей (. и параллельных емкостей С, рассчитываемых известными способами, или из резонансных или антирезонансных контуров, позволяющая увеличить крутизну переднего фронта импульса, а также выровнять его плоскую часть и отл и ча ющ а яс я тем, что к линии подключается дополнительное звено, состоящее из № 101936

L, с, I jf л -„ с, н 1 >

Фиг. 1 последовательной индуктивности 1.i, шунтированной сопротивлением R u емкостью С, и из параллельной емкости Сь причем величины LI. Сь

Я и С определяются соотношениями:

,>2(.;

С =С„ с„ с, где R„ — сопротивление:и С„ паразитная емкость нагрузки. с№ 101936

Фиг. 2

Фиг. 3

Т

Фиг. 5 к» г

Отв редактор И. В. Макаров

Л59442 от 25/П 1956 г. Стандартгиз. Объем 0,25 и. л. Тираж 2.500. Цена 50 коп.

Типография изд-га «Московская правда». Потаповский пер., 3. Зак. 653