Стабилизатор постоянного напряжения

Стабилизатор постоянного напряжения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1. СТАБИЛИЗАТОР ПОСТОЯННОГО НАПРЯМ ЕНИЯ, содержащий ст&- . билитрон, транзистор и резистор, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения термостабильностн и нагрузочной способности, в него введен второй Г :;;ОК ;:;йлй f ;А: :П1:0- -5 С . у.;- у ,.;; -, г.; Г г: . (Г1 , . 3 1 е -; i V. .- Vi « &йи.;Ш}ТЕ;СЛ транзистор противоположного типа проводимости , коллектором соединенный с эмиттером первого транзистора, с выхадной клеммой и через вышеуказанный резистор - с входной клеммой, а эмиттер и коллектор указанных транзисторов соединены между собой и с вторыми входной и выходной клеммами, при этом вышеуказанный стабилитрон включен между базами транзисторов. 2. Ста&1яизатор по п. х, о т а и чающийся тем, что последовательно с источникоК входного напряжения и резистором включено И пар введенных транзж:торов противоположного типа проводимости, между базами которых чен;ы стабилитроны, а эмиттер и коллёктор каждого транзистора первого типа проводимости подключены соответственно к коллектору и эмиттеру транзистора второго типа проводимости. 1С СО со

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИС7ИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

Заи; C05F 1 56

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Фиг.1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

l (2 1 ) 33 864 50 /24-07 (22) 21.01.82 (46) ХЗ.06.83. Бюл. И 22 (72) М. H. Омельяненко и А. А. Омельяненко (71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики и Объединенный институт ядерных исследований (53) 621.316.722.1 (088.8) (56) 1.Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем, М., "Энергия", 1973, с. 573, рис. 22-5.

2. Там же, рис. 22-9 с. 582.

3. Там же, рис. 22-10 с. 583. (54) (57) 1. СТАБИЛИЗАТОР ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ, содержашчй сгабилитрон, транзистор и резистор, о т— л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения термостабильносги и нагрузочной способности, в него введен втброй

„SU,, 3301 А транзистор противоположного типа проводимости, коллектором соединенный с эмиттером первого транзистора,.с выходной клеммой и через вышеуказанный резистор - с входной клеммой, а эмигтер и коллектор укаэанчых транзисторов соединены между собой и с вторыми ахопной и выходной клеммами, при этом вышеуказанный стабилитрон включен между базами транзисторов, 2. Стабилизатор по п. а., о т л и ч а ю шийся тем, что последовательно с источникоЫ входного напряжения и резистором включено И пар введенных транзисторов противоположного типа проводимости, между базами которых вклю- A — е чены стабилигроны, а эмиттер и коллек- тор каждого транзис гора первого типа проводимости подключены соответственно к коллектору и эмиттеру транзистора второго типа проводимости.

Ф 1023

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в системах питания радиоэлектронных устройств.

Известна простейшая схема стабилизатора напряжений на стабилитроне без использования усилительных устройств (1)Ä

Однако у такой схемы недостаточны коэффициенты стабилизации, температурная стабильность и нагрузочная способность. 10

Известна схема, содержащая в качестве усилительного элемента транзистор (2) .

У данной схемы выше нагрузочная способность и коэффициент стабилизации, t но она содержит относительно большое количество элементов, в этом числе два стабилигрона и требует наличия двух источников входного напряжения. Температурная стабильность такого стабилизатора также невелика. 20

11аиболее близким к предлагаемому изобретению является стабилизатор, содержащий стабилитрон, транзистор, резистор, источник входного напряжения и нагруаКу (3)

Схема проста, но имеет недостаточную, температурную стабильность и нагрузочную способность, Кроме того,c помощью данной схемы трудно получить высокое стабилизированное напряжение.

Пель изобретения — повышение термостабильности и нагрузочной способности.

Поставленная цель достигается тем, что в стабилизатор постоянного напряже35 ния, содержащий транзистор, сгабилитрон и резистор, введен второй транзистор противоположного типа проводимости, коллектором соединенный с эмитгером перво40 го транзистора, с выходной клеммой и через вышеуказанный резистор — с входной клеммой, а эмиттер и коллектор указанных транзисторов соединены между собой и с вторыми входной и выходной

45 клеммами, при этом вышеуказанный стабилитрон включен между базами транзисторов, кроме того последовательно с ис точником входного напряжения и резистором включеноу пар-введенных транзисто-; ров противоположного типа проводимости, между базами которых включены стабилигроны, а эмиттер и коллектор Каждого транзистора первого типа проводимости подключены соответственно к коллектору и эмигтеру транзистора второго ти-55 и а проводимости.

1-!а фиг. 1 представлена схема стабилиз т. ра постоянного напряжения;

301 2 на фиг. 2 — вариант схемы стабилизатора с транзисторами.

С та билиза тор содержи r гранзйс торы

Ф

1.1 — 11 и 2.1 — 2 разного типа проводимости, соединенные таким образом, что эммитер и коллектор транзистора 1 первого типа проводимости подключены к коллектору и эмигтеру соответственно транзистора 2 второго типа проводимости и с одной стороны через резистор 3 соединены с одной входной клеммой, а с другой стороны непосредственно соединяются с другой входной клеммой, стабилитрон 4 включен между базами транзисторов 1 и 2

На схеме (фиг. 2) последовательно с резистором 3 и входными клеммами включеном : пар транзисторов 1-1, 2-1—

1- р, 2-И разного типа проводимости сгабилитрона 4-1-4-vl включены между базами транзисторов 1-1 -2-1-1-1 —

2-1, а эмиттеры и коллекторы транзисторов первого типа проводимости 1-11-И соединены соответственно с коллекторами и эмитгерами транзисторов второго типа электропроводимости 2-1, -2-и.

Стабилизатор работает следующим образом.

Ток от источника входного напряжения, подключенного к входным клеммам проходит через резистор 3. Часть гока ответвляется в сопротивление нагрузки

1 1 а остальной ток составляет.соответственНо эммитерный и коллекгорный токи транзисторов 1 и 2. Ввиду гого, что базовые токи тpBHGHcropoB 1 и 2 одинаковы и равны току стабилитрона 4, то токи в их коллекторно-эмитгерных цепях пропорциональны коэффициентам усиления транзисторов Р и Р<. Максимальный ток через пару транзисторов или максимальный ток нагрузки равны и составляют где ст, макс — максимально допустимый ток стабилитрона. Причем, когда ток нагрузки максимальный, то ток через транзисторы и стабилитрон — минимальный.

Выходное напряжение, r.å. напряжение стабилизации Он составляет где 0 ". — натфяжение стабилизации сгабили трона;

10233

О - напряжения открытых эг эмиттерно-базовых переходов транзисторов1 и2.

Известно, что включение последовательно со стабилитроном И переходов, смещенных в прямом направлении, повышает температурную стабильность за счет Т К Н разных знаков;

Бля схемы (фиг. 2) выходное напряжение определяется суммой И напряже- 10 ний стабилитронов и 2 напряжений эмиттерно-базовых переходов, что, кроме повышения температурной стабильности, позволяет получить высоковольтное стабилизированное напряжение. Это напряжение состоит из суммы напряжений каждой пары транзисторов. Нагрузочная способность также повышается. Сопротивления нагрузок можно подключать к любому количеству пар транзисторов, т.е. в качестве 2à стабилизированного напряжения может быть любое, входящее в состав высокого.

Положительный эффект предлагаемого изобретения заключается в повышении нагрузочной способности, температур- 25

01 4 ной стабильности входного сопротивления и коэффициента стабилизации.

Кроме того, он может быть использован в схемах ограничителей амплитуды сигналов. Повышенная температурная стабильность будет и в этом случае их отличительной чертой. Применение транзисторов, допускающих инверсное включение, делает предлагаемую схему симметричным двууд:торонним ограничителем параллельного типа, т.е. источником входного напряжения может быть источник напряжения переменного тока, а ограничение наступает на одинаковых термостабильных уровнях как положительном, так и отрицательном.

Предлагаемая схема легко выполняется также и в интегральном исполнении.

Причем топология схемы такова, что возможно изготовление на одном кристалле, а стабилитрон может быть выполнен на образованном yl-ð переходе, между базами транзисторов, так как они имеют различную элекгропроводность.

ВНИИПИ Заказ 4211/32

Ч ираж 874 Подписное

Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул. Проектная; 4