Способ изготовления мишени магнетронного источника

Способ изготовления мишени магнетронного источника

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СООЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК... Я0„„1 0257 54 () С 23 С 15/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

OllHGAHHE ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2Ц 2804642/18-21 (222 24.07.79 ! (46) 30.06.83. Вюл. и 24 (72) Л. A. Сейдман (53) 621 793. 12 (088.8) (56) 1. Патент ClllA 11 3878085, кл. 204-142, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР

И . 754907, кл, С 23 С 15/00, 1978 ,(прототип) . (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ

ЧАГНЕТРОННОГО ИСТОЧНИКА, включающий выполнение углубления в основе и заполнение его материалом покрытия, отличающийся тем, что, . с целью увеличения коэффициента использования матерйала покрытия, углубление в основе выполняют распылением материала основы в магнетронном источнике, 1 102575" 2

Изобретение относится к вакуумной напылительной технике, используемой в электронной промышленности, в частности к способам изготовления распыляемых мишеней.

Известен способ изготовления мишени магнетронного источника, включающий выполнение основы и нанесение на нее материала покрытия {1)

Недостатком данного способа яв1О ляется низкий коэффициент использования материала покрытия при его распылении иэ-за локальности зоны распыления мишени, что особенно существенно проявляется при распылении дорогостоящих и дефицитных материалов, например драгметаллов.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ изготовления мишени магнетронного источника, включающий выполне" йие углубления в основе и заполнение его материалом покрытия $2(Недостатком известного способа является низкий коэффициент использования распыляемого материала покрытия

Р так как в углублении остается достаточно многонерасплавленного материала.

Цель изоьретения - увеличение коэффициента использования материа- З0 ла покрытия.

Указанная цепь достигается тем, что согласно способу изготовления мишени магнетронного источника, включающему выполнение углубления в основе и заполнение его материалом покрытия, углубление в основе выполняют распь1лением материала основы в магнетронном источнике.

Изобретение основано на независи- 40 мости формы углубления основы от материала основы. Форма углубления зависит только от конфигурации электрических и магнитных полей.

В основе, снабженной углублением, совпадающим по форме с эрозионной канавкой и заполненным материалом покрытия, во время работы магнетронного источника будет расти эрозионная канавка, которая в определенный момент совпадает с углублением, сде50 ланным в основе. К этому моменту весь распыляемый материал покрытия будет полностью распылен, а основа . мишени распылению не подвергается.

Углубление в основе мишени в форме эрозионной канавки получается ионВНИИПИ Заказ 4503/21

Филиал ППП "Патент", г, ным распылением пластины в данном магнетронном источнике. Длительность распыления и соответственно. глубина углубления зависит от количества материала покрытия, подлежащего распылению. Полученное углубление заполняют распыляемым материалом покрытия, например, с помощью литья.

Преимущество изобретения заключается в том, что полученное углубление в основе, служащее для заполнения распыляемым материалом покрытия, по форме идентично эрозионной канавке, образующейся в распыляемом материале йри работе магнетронного источника.

Это обеспечивает полное использо-. вание распыляемого материала покрытия. ..

Так, например, мишень планарного магнетронного источника для распыления олова была получена в виде молибденового диска диаметром 130 мм и толщиной 8 мм с углублением нужной формы глубиной 3 мм, заполненным оловом. Углубление нужной формы было получено ионным распылением в планарном магнетронном источнике. Режим распыления: давление аргона

3-10 1 Па, ток разряда 3А, потенциал мишени 00 В, длительность процесса

6 ч. Полученное углубление заполнили оловом, расплавив его в печи.

Полученную мишень использовали для распыления олова в том же магнетронном источнике в указанном выше режиме распыления до тех пор, пока вся загрузка олова не была распылена.

В результате внедрения изобретения снижается расход распыпяемого материала при изготовлении мишени и достигается почти полное его использование. Это особенно ценно при распыле" нии драгоценных металлов, например золота. Поскольку пленки золота широко применяются в полупроводниковых приборах и ИС на большинстве предприятий электронной промышленности, то зкономия золота дает значительный экономический эффект. При серийном выпуске магнетронных источников углубления нужной формы в мишени могут быть получены с помощью питья или механической обработки, используя в качестве шаблона пластину с углуб" пением, полученным ионным распылением. Это ускорит и удешевит изготовле-, ние большого числа мишеней планарных магнетронных источников.

Тираж 956 Подписное.

Ужгород, ул. Проектная, 4