Датчик импульсного электромагнитного излучения

Датчик импульсного электромагнитного излучения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СООЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

3(51) G 01 R 29 08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

М

1 (54) (57) ДАТЧИК ИМпуЛЬСНОГО ЭЛККтРО- 1 .МАГНИТНОГО .ИЗЛУЧЕНИЯ, содержащий полупроводниковую пластину, на приемные поверхности которой нанесены металлические пленки, поглощающие электромагнитное излучение, и контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, полупроводниковая пластина выполнена иэ трехкомпонентного полупроводника типа А<В< С, Х - состав которого в направлении от одной приемной . поверхности к другой возрастает от Х 0 до 2 Х0, где . Х,> - критическое содержание компонент, при котором происходит переход от полуметаллической фазы в полупроводниковую Фазу. е

Ю

Г

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР °

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (Z1) 3359640/18-09 (22) 24.11.81 (46) 30.06.83. Бюл. Р 24 (72) В.М. Абросимов, Б.Н. Егоров. .и А.Л. Коленкин (71) Московский ордена Трудового

Красного Знамени физико-технический институт и Научно-производственное объединение "Квант" (53) 621.317(088.8) (56) 1. Марков M.Н. Приемники инфракрасного излучения. М., "Наука", 1968.

2. Авторское свидетельство СССР

;Р 645427, кл. G 01 R 29/08, 1979 (прототип),.

ÄÄSUÄÄ1 026087

4Р

Ю

Cb

4Р

ОО

«,) 102 á087

Составитель В. Н. Досов

Редактор H. Безродная Техред B.Äàëåêîðåé Корректор A,Èëüèí

Заказ 4553/38

Тираж 710 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035» Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к технике измерений на сверхвысоких частотах.

Известно устройство для измерения временных и энергетических характе-, ристик импульсного электромагнитного излучения, содержащее поглотитель,::, 5 нанесенный на термоэлектрический элемент 1) .

Однако известное устройство обла, дает малым быстродействием.

Наиболее близким к предлагаемому является датчик импульсного электромагнитиого излучения, содержащий полупроводниковую пластину, на приемные поверхности которой нанесены металлические пленки, поглощающие электро- 5 магнитное излучение, и контакты (2 .

Этот датчик также имеет малое быстродействие из-за влияния емкости сформированного в полупроводниковой пластине р- п -перехода.

Цель изобретения — повышение быст- родействия.

Указанная цель достигается тем, что в датчике импульсного электромагнитного излучения, содержащем полупроводниковую пластину, на прием- 25 ные поверхности которой нанесены металлические пленки, поглощающие электромагнитное излучение, и кон:такты, полупроводниковая пластина выполнена из трехкомпонентного полу" 39 проводника типа А«В «С, Х - состав которого в направлении от одной приемной поверхности к другой возрастает от Х до 2 Х, где Хо -критическое содержание компонент, при ко-,З5 тором происходит переход от полуметаллической фазы в полупроводниковую фазу.

На чертеже показана конструкция датчика.

Датчик импульсного электромагнитного излучения содержит полупроводниковую плакатику 1, приемные поверхности которой покрыты металлическими пленками 2, поглощающими электромагнитное излучение,:а также контакты 3.

Датчик работает следующим образом.

Импульсы электромагнитного излу- . чения, поглощенные металлической пленкой 2, обусловливают нагрев приповерхностного слоя полупроводниковой пластины 1 и генерацию неравновесных электронов и дырок. Под воздейст-.. вием электрического поля, имеющего место в полупроводниковой пластине 1, за счет изменения ширины запрещенной эоны электроны будут двигаться в укаэанную область полупроводниковой .. пластины 1. Выбором Х вЂ” состава полупроводниковой пластины 1 в преде.лах от критического содержания 1„ до 2 Хд обеспечивается максимальная подвижность неосновных .носителей: заряда — электронов, существенно превышающая подвижность дырок. В результате в полупроводниковой плас-..;. тине 1 произойдет разделение зарядов, а на контактах 3 возникнет импульс-! ная ЭДС °

Предлагаемый датчик По сравнению с известным имеет быстродействие выше на два порядка и составляет " 0 " С. Наряду с высоким быстродействием датчик прост в изготовле" нии и не требует для своей работы охлаждения.