Многослойный электрофотографический материал

Многослойный электрофотографический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1.МНОГОСЛОЙНЫЙ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧБСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий два слоя аморфного стеклообразного фотополупроводника с адгезионным слоем между ними, армированным в единую монолитную структуру внешними диэлектрическиг слоями, отличающийся тем, что, с целью повьшения тиражеустойчивости, улучшения эксплуатационных и сенситомет 1 рических хгцрактеристйк, диэлектрические слои BunonHetRi из прозрачной полимерной пленки с модулем упругое ти на растяжение не менее 200 кгс/мм, а адгезионный слой выполнен полупро врдниковым толщиной 1-2 мкм и распбложен не более 1/3 общей толщины электрофотографического материала от центра механического изгиба. 2. Материал по п. 1, отличающийся тем, что диэлектри .ческне слон выполнены из пол)«этилентерефталатной пленки толщиной 1020 мкм, а слои из гшорфиых стеклообразных фотополупроводников выполне% mt из омюрфного селена толщиной 3 .40 мкм, . этом одна из диэлектрическцх пленок на одной из своих сторон ttiyieeT полупрозрачное электропроводящее по1п;«1тие. .

СОЮЗ СООЕТСНИХ

CCICIVNt

РЕСПУБЛИК

69I 01) Я50 С 03 С 8

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТСССНСНУ СВНВВТВВСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ G00P

Н С С (21) 3382064/28-12 (22) 07. 01. 82 (46) 07. 07. 83. Бюл. В 25 (72) Ю.l0. Бальчюнас, A.A, Вагданавичюс, A.Ñ. Таурайтис, И.-Д.Б. Сидаравичюс и В.A. Макарычев (53) 772.93(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство

СССР по эаявке Э 2499014/28-12, кл. G 03 С 5/08, 13.06.77. (54) (57) 1.МНОГОСЛОЙНЫЙ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАИ, содержащий два слоя аморфного стеклообраэного фотополупроводннка с адгеэионным слоем между ними, армированным в единув монолитную структуру внещннми диэлектрическими слоямн, о т л и « ч а ю щ н и с я тем, что, с целью повьиаення тиражеустойчивости, улучщения эксплуатационных и сенситомет-1 рических характеристик, диэлектрические слои выполнены иэ прозрачной полимерной пленки с модулем упругос" ти на растяжение не менее 200 кгс/ьве, а адгеэионный слой выполнен полупро»-. водниковым толщиной 1-2 мкм и расп6ложен не более 1/3 общей толщины электрофотографического материала от центра механического иэгиба.

2. Материал по и. 1, о т л ич а ю шийся тем, что диэлектрические слон выполнены иэ полиэтилентерефталатной пленки толщиной 1020 мкм, а слои иэ аморфных стеклообразных фотоцолунроводников выполнены иэ аморфного селена толщиной 3- Я

40 мкм,.при этом одна иэ диэлектри ческих пленок на одной as своих .сторон имеет полупроэрачноб электропро водящее покрытие..

1027685

Изобретение относится к копировальной технике, в частности к материалам, применяемым s электрографии для регистрации на них оптического изображения.

Известен. многослойный электрофото- 5 графический материал, содержащий два слоя аморфного стеклообраэного фотополупроводника с адгезионным слоем между ними, армированным в единую монолитную структуру внешними 1О диэлектрическими слоями 1 .

Недостатками данного электрографического материала являются низкая тиражеустойчнвость, низкие эксплуатационные и недостаточно хорошие сенситометрические характеристики.

Цель изобретения - повышение тиражеустойчивости, улучшение эксплуатационных и сенситометрических характеристик.

Поставленная цель достигаетсятем, что в многослойном электрографическом материале, содержащем два слоя аморфного стеклообразного фотопрлупроводника с адгезионным слоем между ними, армированным в единую 25 монолитную структуру внешними диэлектрическими слоями, диэлектрические слои выполнены иэ прозрачной полимерной пленки с модулем упругос-< ,ти на растяжение не менее 200 кгс/мм,, 30 а адгезионный слой выполнен полупроводниковым толщиной 1-2 мкм и расположен не более 1/3 общей толщины электрографического материала от центра механического изгиба.

Кроме того, диэлектрические слои выполнены из полиэтилентерефталатной пленки толщиной 10-20 мкм, а слои иэ аморфных стеклообразных фотополупроводников выполнены из аморфного селена толщиной 30-40 мкм, при этом 40 одна из диэлектрических пленок на одной из своих сторон имеет полупрозрачное электропроводящее покрытие.

На чертеже схематически изображена. 4 конструкция многослойного электрофотографического материала.

Предлагаемый электрофотографиче-, ский материал содержит два внешних диэлектрических слоя 1 и 2, выполнен- ных из прозрачной полимерной пленки с модулем упругости на растяжение не менее 200 кгс/мм, например из полиэтилентерефталевой пленки толщиной 10-20 мкм, два аморфных стеклообразных фотополупроводника 3 и 4, а также промежуточный адгезионный слой

5, выполненный в,виде полупроводникового слоя толщиной 1-2 мкм и расположенный не более 1/3 общей толщины электрофотографического материала 60 от центра механического изгиба.

Внешние границы О и 3 диэлектрических слоев 1 и 2 доступны для проявления обычными электрографиче" скими методик, например магнитной кистью, каскадным способом, жидким проявителем и т.п. установлено, что препятствуют когезионному разрушению лишь те пленки, у которых модуль упругости на растяжение превосходит 200 кгс/мм.

Прозрачная полиэтилентерефталевая пленка, имеющая хорошие диэлектрические, оптические н механические характеристики и полученная экструзионным методом оптимально подходит для использования в предлагаемом электрофотографическом материале. Ограничение по модулю упругости значительно сужает выбор материалов для диэлектрических слоев электрофотографического материала, однако оно является необходиьым условием обеспечения когезионной прочности.

В качестве аморфных стеклообразных фотополупроводников 3 и 4 могут быть использованы высокоомные неорганические фотополупроводники типа селена, триселенида мышьяка, триселенида мышьяка с добавка» ми сурьмы и т.П. Соотношение толщин диэлектрических и фотополупроводниковых слоев определяется требованием высокой когезионной прочности электрофотографического материала, а именно промежуточный адгезнонный слой должен располагаться на расстоянии не более 1/3 общей толщины электрофотографического материала от центра механического изгиба.

Пример 1. Получают бесподложечный гибкий симметричный электрофотографический материал.

Для получения многослойного электрофотографического материала монОлитно соединяют две наружные полиэтилентерефталатные пленки толщиной

20 мкм и фотополупроводник, содержащий два слоя аморфного селена толщиной 30-40 мкм, между которыми располагается Структурно неоднородный промежуточный адгезионный полу нроводниковый слой толщиной порядка 2 мкм. Наличке и толщина промежуточного слоя определяются методом дрейфа тока малого заряда.

Характерное изменение структуры адгезионного полупроводникового слоя в пределах промежуточного слоя отражается в изменении характера движения через него дрейфующих зарядов. Структурные изменения нарастают к центру промежуточного слоя.

За пределами промежуточного слоя структура селеновых слоев соответствует структуре напылеиного аморфного селена. Благодаря плавному переходу структурные неоднородности не приводят к образованию глубоких уровней захвата, чем и достигаются высокие сенситометрические и эксплуатационные характеристики матеру

1027685

65 ала. В то же время-расположение промежуточного адгезионного слоя внутри Фотополупроводникового обеспечивает получение ленты электрофотографического материала длиной

50 м и более, в которой идеально выдерживается толщина диэлектрических и фотополупроыщниковых слоев, а следовательно, и стабильность сенситометрических свойств всей ленты электрофотографического материала.

Расположение промежуточного адгезионного слоя не более 1/3 общей . толщины электрофотографического от центра механического изгиба позволяет устранить когезионное разрушение материала, например даже.при многократном изгибе (более 10 раз) на стержне диаметром 6 мм, который в 5-10 раз тоньше минимального диаметра, на котором изгибается материал в копировальном аппарате в процессе эксплуатации, не наблюда ется появления мнкротрещин. Расположение селенового фотополупроводникового слоя между диэлектрическими полимерными пленками позволяет также .заметно уменьшить скорость крис« таллиэации аморфного селена по сравнению с кристаллизацией пленок с незамещенной внешней поверхностью, а также увеличить температуру хранения и эксплуатации электрофотографического материала с селеновым фотополупроводниковым слоем (порядка на 7 С ). Чувствительность электрофотографического материала с селеновым фотополупроводниковым слоем, оцененная по электростатическому контрасту 400 В, составляет 5 лк.с (при экспонировании через светофильтр

СЗС 22). Усталости электрофотографи ческого материала при длительной его эксплуатации не наблюдается, если в цикле записи на стадии предварительной зарядки он равномерно освещается со стороны обоих диэлектрических слоев. Изображение можно проявить как на одной, так и на другой стороне электрофотографического материала (как позитивное, так и негатив ное), количество .качественных копий с одного экспонирования достигает

400. !

Пример 2. Получают гибкий электрофотографический материал с ,проводящим слоем. Отличие данного материала от материала, полученного в примере 1, состоит в том, что одна из сторон одного.из диэлектрических слоев имеет платиновое (или . никелевое) электропроводящее прозрач ное покрытие. Наличие этого покрытия позволяет испольэовать электрофото« графический аппарат в копировальных аппаратах, в которых коронирующие устройства расположены лишь по одну сторону от материала. В этом случае, однако, диэлектрический слой c i проводящим покрытием выполняет лишь ту же роль, что и .подложка в обычных электрофотографических слоях. При этом проводящее покрытие может быть расположено как на внешней, так и на внутренней стороне диэлектрического слоя. Сенситометрические и эксплуатационные характеристики те же, что и в примере 1.

Пример 3. Получают гибкий панхроматический электрофотографический материал. Для электрофотографического материала, чувствительного во всей спектральной области бе. лого света, используют две полиэтилентерефталатные пленки толщиной 20 и 70 мкм и многослойный фотополупроводниковый слой, состоящий из селенового слоя толщиной 60 мкм, слоя триселенида ьыиьяка толщиной 3 мкм и промежуточного полупроводникового слоя между ними толщиной 1 мкм. Конструктивно толстый селеновый фотополуйроводниковый слой помещают со стороны. тонкого диэлектрического слоя. В результате такого выполнения электрофотографическогО материала промежуточный полупроводниковый слой попадает в зону, отстоящую от центра механического изгиба не более 1/3 общей толщины электрофото- . графического материала.

Промежуточный слой выявляют на осциллограммах кинетики дрейфа тока малого заряда, причем он представляет собой плавный переход от аморфного селена к аморфному трисиленнду млиьяка. Захват носителей заряда, дрейфующих через промежуточный слой, не превышает 5В. Усталость устраняется равномерным освещением белым светом электрофотографического материала с обеих сторон во время стадии предварительного заряжения..

Изменения сенситометрическнх характеристик в процессе многократной записи при этом не наблюдается. Когезионного разрушения также не обнаруживается.

50 Фоточувствительность, оцененная по электростатическому контрасту .400 В на тонком диэлектрическом слое, составляет 0,5 лк.с. При освещении электрофотографического материала со стороны триселенида юаааьяка спект55 р,льная чувствительность е,о совпа дает со спектральной чувствительностью триселенида мьиаьяка. При освещении электрофотографического материала со стороны селенового слоя спектральная чувствительность его

:не совпадает со спектральной чувствительностью селенового слоя. В рлинноволновой части спектра имеется подъем фоточувствительности, обусловленный фотогенерацией носителей

1027685

Составитель M. Волкова

Редактор М. Рачкулинец ТехредM.Гергель Корректор A. Повх

Заказ 4737/52 Тираж 473 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент" . r. Ужгород, ул. Проектная, 4 тока в слое триселенида ььпаьяка, до которого доходит актиничный свет, прошедший через селеновый слой.

Скрытое электростатическое изображение может быть проявлено на обОих диэлектрических слоях, однако в мате- 5 риале такой конструкции предельная разрешаюцая способность обоих изображений неодинакова на тонком диэлек" трическом слое разрешение выше.

Использование предлагаемого изобретения позволяет повысить тиражеустойчивость, расширить сенситометрические характеристики.и улучшить эксплуатационные характеристики материала.