Способ приготовления пьезоэлектрических пластинок

Способ приготовления пьезоэлектрических пластинок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

класс 21а, 1О 4» 1О2М

ПАТЕНТ НА ИЗОБРЕТЕНИЕ

ОПИСАНИЕ способа изготовления пьезоэлектрических пластинок.

К патенту ин-ной фирмы с Tåëåôóísåí, общество беспроволочной телеграфии с огр. отв,> (Telefunken Geseilschaft Иг drahtlose Telegraphic

m. Ь. Н.), в r. Берлине, Германия, заявленному 23 июля 1928года (заяв. свид. ¹ 30473).

Действительный изобретатель ин-ц А. Мейснер (A. Меюпег).

Приоритет заявлен от 27 июля 1927 года на основании ст.бСоветско-германского соглашения об охране промышленной собственности.

О выдаче патента опубликовано 29 июня 1929 года. Действие патента распространяется на 15 лет от 29 нюня 1929 года.

Предмет патента.

Твяографиа Первой Артели Советский Печатник, Моховая, 40.

При изготовлении нз кварца пластинок для пьезоэлектрических целей (для создания колебаний, или для контроля над ними), часто вырезанные из кварцевого кристалла пластинки оказываются не безупречными в пьезоэлектрическом отношении и обнаруживают черезмерное затухание.

Этот недостаток кварцевых пластинок объясняется тем, что при вырезывании пластинок, отдельные молекулы окиси кремния, вследствие разрыва отдельных клетоккристаллической,решетки, пристают к поверхности соседних клеток н, таким образом, препятствуют пьезоэлектрическому действию нх.

Если же подвергнуть пластинки действию плавиковой кислоты, то все те молекулы, которые не связаны прочно с .кристаллической решеткой кварца отделяются плавиковой кислотой; те же молекулы, которые являются составной частью цел6ной клетки и обусловливают пьезоэлектрическое действие пластинки, настолько прочно связаны с кристаллической решеткой кварца, что кислота либо совершенно, не отделяет нх, либо отделяет их с трудом.

Способ изготовления пьезоэлектрическнх пластинок нз кварца, характеризующийся тем, что вырезанные из кварцевого кристалла до нуи(ных размеров пластинки подвергаются, после вырезывания, обработке плавиковой кислотой для отделения молекул окиси кремния, несвязанных прочно с кристаллической решеткой.