Электрическая печь для выращивания крупных искусственных кристаллов

Электрическая печь для выращивания крупных искусственных кристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Власе 12с, 2

М 1030G7

СССР

>сco>og„-цд

П4; д., -" :- - !"-сая — опиодние иаоБ Мййяя;

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

М. А. Васильева и И. B. Степанов

ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПЕЧЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ НРУПНЫХ

ИСНУССТВЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ

Заявлено 21 января 1950 г. за ¹ 04516/410907 в Гостехннку СССР

Известны электропечи для выращивания искусственных кристаллов из расплавов солей, имеющие обмотку нагревателя на боковых стенках тигля.

Эти печи обладают тем недостатком, что наряду с основным кристаллом в нпх растут п паразитные кристаллы, причем рост последних мешает росту основного кристалла, вес которого вследствие этого достигает лишь 2 — 4 кг.

Предлагаемая конструкция электропечи для выращивания искусственных кристаллов оольшого веса (например, 2о кг) отличается от известных электрспечей тем, что, с целью устра>пения роста паразитных кристаллов, намотка нагревателя осуществлена непосредственно на тигле, в котором производится плавленпе солей и выращивание кристаллов, а также введено дополнительное нагревание дна отдельно регулируемым, нагревателем, позволяющим изменять Форму изотерм ро "Til кристаллов.

Принципиальная схема. печи изображена на чертеже.

Печь состоит из кожуха, кварцевого, ФарФорового илн г!латюнового тигля, В1>!бор которого зависит от температуры плавления и хпмическгих свойств кристаллизуемой соли, и огнеупорной керамической подставги для нагревателя, расположенной под тиглем.

Непосредственно на тигель (1) намотано сопротивление (2) (нагреватель) с меныиим шагом в верхней части тигля по сравнению с нижней. Снизу тигля на дне огнеупорной керамической подставгп (3) расположен отдельно регулируемый нагреватель (4).

Свооодное пространство в кожухе (5) заполнено изоляционным материалом.

Работа печи протекает следующим образом.

В печь загружают крпсталлизуемую соль, включают оба нагревателя и соль плавят. Последующими добавками доводят уровень расплава до I-. обогреваемой высоты тигля и нагревают его до температуры, б.тпзкой к точке кристаллизации данной соли. На поверхность расплава опускают «затравочны!!» кристалл, зажатый в холодилыгпке, охлаждаемом водой, и осторожным понижением тока в нагревателях вызывают начало роста грпсталла. Затем кристалл осторожно начинают вытяшгвать пз расплава со скоростью меныпей, чем скорость его роста.

Предмет изобретения

Нлектрпческая печь для выращивания крупных искусственных кристаллов, имеющая тигель и оомотку нагревателя, о тл п ч а ю щ а я с я тем, что, с целью усгранения роста паразитных кристаллов, назготка нагревателя на тигле осуществлена неравномерным шагом, а для ооогреванпя дна тигля -применен отдельный нагреватель.

М 103067

Ст, редактор А. А. Сержпинская

Л58688 от 26/VI 1956 г, Стандартгиз. Объем 0,125 п, л, Тираж 400. IJeaa 25 коп.

Типография изд-ва «Московская правда», Потаповский пер., 3, Зак. 3032