Способ преобразования изображения и устройство для его реализации

Способ преобразования изображения и устройство для его реализации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1. Способ преобразования изображения , заключающийся в том, что электрофототографический преобразователь заряжают, наносят на него токопроводящую жидкость и экспонируют изображение, отличающийся тем, что, с цепью снижения энергии экспонирования, токопроводящую жидкость наносят до зарядки, а зарядку осуществляют путем подачи импульсного высокого напряжения на токопроводящую жидкость с амплитудой, необходимой для создания в полупроводниковом слое преобразователя напряженности электрического поля в пределах 70-100 МВ/м, а экспонирование осуществляют после окончания высоковольтного импульса, при этом в качестве преобразователя используют преобразователь типа диэлектрик-полупроводник-диэлектрик на основе аморф (Л ного селена.

СОЮЗ СОВЕ1 СКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (!9) (И) 3(59 6036 15 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВ,Ф

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (2i ) 2967850/28-12 (22 ) 28.07.80 (46 ) 23.07.83. Бюл. 9 27 (72) К.К.Арлаускас, В.А.Макарычев, Э.А.Монтримас, А.С.Таурайтис и

Г.Б.(0шка (71 ) Вильнюсский ордена Трудового

Красного Знамени и ордена Дружбы народов государственный университет им. В.Кансукаса (53) 681.36(088.8) (56) 1. Патент США Р 3835355, кл. 317-262, 1974. (54 ) СПОСОБ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ (57) 1. Способ преобразования изображения, заключающийся в том, что электрофототографический преобразователь заряжают, наносят на него токопроводящую жидкость и экспонируют изображение, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью снижения энергии экспонирования, токопроводящую жидкость наносят до зарядки, а зарядку осуществляют путем подачи . импульсного высокого напряжения на токопроводящую жидкость с амплитудой, необходимой для создания в полупроводниковом слое преобразователя напряженности электрического поля в пределах 70-100 MB/ì, а экспонирование осуществляют после окончания высоковольтного импульса,при этом в качестве преобразователя используют преобразователь типа диэлектрик-полупро- Е

O водник-диэлектрик на основе аморфного селена.

1030766

2. Устройство для преобразования иэображения, содержащее источник высокого напряжения, соединенный электрически с диэлектрической рамой с сетчатым электродом, гидродинамически контактирующим с узлом подачи жидкости, имеющим заслонку, и блок управления освещением„ подключенный к осветителю, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения

Изобретение относится к способам преобразования изображения и устройствам для преобразования изобра>кения и может быть использовано в электрографии. S

Известен способ преобразования иЗображения, заключающийся в том,, что электрофототографический преобразователь заряжают, наносят на него токопроводящую жидкость и зкспони- 10 руют иэображение 11 1.

Недостатком известного способа является высокая энергия экспонирования.

Известно также устройство для преобразования изображения, содержащее источник высокого напряжения, соединенный электрически с диэлектрической рамой с сетчатым электродом„. гидродинамически контактирующим с узлом подачи жидкости, имеющим заслонку, и блок управления освещением„ подключенный к осветителю P1).

Недостатком устройства является невысокая эффективность греобразования иэображения.

Цель изобретения — снижение энергии экспонирования и повышение зффекTHBности преобразования изображеHMR, Поставленная цель достигается тем,. что согласно способу преобразования изображения, заключающемуся в том, что электрофототографический преобразователь заряжают, наносят на него токопроводящую жидкость и экспонируют изображение, токопроводящую жидн:ость 35 наносят до =-арядки, а зарядку осуществляют путем подачи импульсного высокого напряжения на токопроводящую жидкость с амплитудой, необходимой для создания в полупроводниковом слое преобразователя напряженности электрического поля в пределах 70-100 МВ/м, а экспонирование осуществляют после окончания высоковольтного импульса, при этом в качестве преобразователя используют преобразователь типа диэлектрик--полупроводник-диэлектрик на основе аморфНого селена.

=-ффективности преобразования изображения, GHG имеет синхронизатор, первый выход которого подключен к управляющему входу источника высокого напряжения, второй выход синхронизатора соединен с синхровходом блока управления освещением, а третий егo выход электрически связан с заслонкой узла подачи жидкости.

Кроме того, устройство для преобразования изображения, содержащее источник высокого напряжения, соединенный электрически с диэлектрической рамой с сетчатым электродом, гидродинамически контактирующим с узлом подачи жидкости, имеющим Заслонку и блок управления освещением, подключенный к осветителю, имеет синхронизатор, первый вход которого подключен к управляющему входу источника высокого напряжения, второй выход синхронизатора соединен с синхровходом блока управления освещением, а третий его выход электрически cssl зан с заслонкой узла подачи жидкости,.

На черте>ке приведена блок-схема устройства.

:устройство содержит диэлектрический слой 1, сетчатый электрод 2, источник 3 высокого напряжения, синхронизатор 4, блок 5 управления освещением, осветитель б, заслонку 7 узла 8 подачи жидкости 9 и диэлектрическую раму 10. IlpH этом первый вход синхронизатора 4 подключен к управляющему входу источника 3 высокого напряжения, второй вь;ход

cHHxpoHHýàòopà 4 соединен с синхровходом блока 5 управления освещением„. а третий его выход электрически связан с заслонкой 7 узла 8 подачи жидкости.

При исследовании структур с аморф— ным селеновым слоем было установлено, что при напряженности поля в селеновом слое в диапазоне 70 †1 NB/ì происходит интенсивное размножение фотогенерированных носителей. В то время как з неосвещенных местах слоя из-за очень изкой концентрации темновых носителей при полях, не превышающих 100 IIB/м эффект размножения не проявляется. установлено также, что столь высокие поля в полупроводниковом слое могут быть достигнуты только в преобразователе специальной конструкции, в котором слой фотсполупроводника изолирован от проводящих электродов, т.е. заключен между ди1030766

Составител С. Ьлексанов

Техред М.Костик

Корректор Л. Бокшан

Редактор О. Юрковецкая

Подписное

Тираж 473

Заказ 5209/47

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 электрическими слоями соизмеримой толщины. Одна из внешних диэлек".рических поверхностей снабжена проводящим слоем и заземлена, а внешняя поверхность другого диэлектрического слоя через слой быстроиспаряющейся жидкости, поступающей из резервуара, связана с натянутым на диэлектрической раме металлическим сетчатым электродом, который соединен с одним из полюсов высоковольтного импульсного 10 источника напряжения. Источник управляется синхронизатором, обеспечивающим поджиг импульсного осветителя сразу по окончании импульса высокого напряжения и прекращение доступа 5 жидкости из резервуара в промежуток между проводящим электродом и свобод" ным диэлектрическим слоем.

Когда напряженность поля в селеновом слое многослойного. преобразователя находится в пределах

70-100 NB/м, то коэффициент размножения достигает 10 — 10 за счет раз2. ,множения фотогенерированных носителей тока. В этом случае примерно в столько же раз увеличивается фоточувствительность процесса по сравнению с предельно возможной фоточувст. вительностью известного способа записи. При этом запись скрытого изображения с накоплением заряда может проводиться как в режиме записи с заряжением преобразователя, так и в режиме записи с разряжением или перезаряжением его. Важно толь .о, чтобы напряженность поля в аморфном 35 селеновом слое преобразователя лежа-,б ла в указанных границах.

Для записи использован электрофотографический преобразователь с селеновым полупроводниковым слоем 4Q толщиной около 60 мкм и общей толщиной диэлектрических слоев порядка

40 мкм. К преобразователю прикладывалось напряжение порядка 14 кВ длительностью нескольких миллисекунд,45 вслед за которым следовал импульс света длительностью в пределах

10 — 10 с. Контраст электростатического изображения составлял

0,5 мКл/м при общей энергии экспозиции 10 Дж/см

Устройство работает следующим образом.

В исходном положении диэлектрическая рама 10 с. сетчатым электродом 2 плотно прижата к поверхности диэлектрического слоя 1, открыт доступ жидкости 9 из узла 8 в промежуток между верхним диэлектрическим слоем (ДПДМ) 1 и сетчатым проводящим электродом 2, который подключен к импульсному источнику 3 высокого напряжения. По команде с синхронизатора 4 выделяется импульс высокого напряжения и синхронно с окончанием испульса напряжения — электрический импульс на осветитель 6 от блока 5 питания осветителя 6. Синхронно с окончанием импульса экспонирования закрывается заслонка 7. прекращается доступ жидкости в промежуток под электродом 2, жидкость испаряется, после чего носитель может быть равномерно освещен и проявлен. Расстояние от электрода 2 до поверхности преобразователя 0,2 — 0,3 мм.

Синхронизатор 4 может содержать три ячейки формирования управляющих импульсов и три дифференцирующие цепочки. При нажатии кнопки записи первый импульс с первой дифференцирующей цепочки подается на третью ячей» ку формирования управляющего импульса, приводящего к срабатыванию электромагнита открывания заслонки 7 для доступа жидкости 9 к преобразователю.

Второй импульс первой дифференцирующей цепочки подается на первую ячейку формирования управляющего импульса. Эта ячейка управляет запуском высоковольтного импульсного генератора. Через вторую дйфференцирующую ячейку задним фронтом высоковольного импульса напряжения выдается сигнал на блок поджига импульсной лампы. От заднего фронта импульса напряжения питания лампы-вспышки через третью дифференцирующую цепочку подается сигнал на третью ячейку формирования управляющего импульса, которая приводит к срабатыванию электромагнита, закрывающего заслонку для прекращения доступа жидкости к многослойному преобразователю.

Использование изобретения повышает эффективность преобразования изображения.