Накопитель для запоминающего устройства

Накопитель для запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий слой магнитоодноосного материала, на котором расположены регистры хранения и кан.ап ввода-вывода информации, выполненные в виде отдельных изолированных друг от друга двухслойных проводников с периодически чередующимися отверстия ми и торцовыми вырезами, о т л и чающийся тем, что, с целью повышения надежности накопителя и повышения быстродействия путем нераз .pii-TJaioL-jero считывания информации, он со.аержит на слое магнитоодноосного материала репликатор цилиндрических магнитных доменов, выполненный в виде двухслойного проводника, в торцах которого выполнены вырезы, совмещенные с торцовыми вырезами в двухслойных проводниках регистроё хранения и канала ввода-вывода информации, причем соответствующие стороны торцовых вырезов в отдельных слоях двухслойно-, го проводника репликатора цилиндриS ческих магнитных доменов со стороны а с двухслойного проводника канала вводавывода информации выполнены пересек а иди ми с я .

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧ ЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

3(5П G 11 С 11 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3342336/18-24 ,(22) 08.10.81 (46) 30.07.83. Бюл. М 28 (72) Г.Ф. Темерти, Ю.А. Службин и В.Г. Аленин (71) Специальное конструкторско-тех-. нологическое бюро Донецкого физикотехнического интститута АН Украинской CCP (53) 681.327.66 (088.8) (56) 3.,Патент США 9 416 2537, кл. G 11 .С 19/08, опублик. 1980

2. Патент СЩА 9 4187555, кл. G 11 С 19/08, опублик. 1980. (5 (57) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий слой магнитоодноосного материала, на котором расположены регистры хранения и канал ввода-вывода информации, выполненные в виде отдельных изолированных друг от друга двухслойных проводников с

„„SU„, 1032479 А периодически чередующимися отверстия" ми и торцовыми вырезами, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повыыения надежности накопителя и повыщения быстродействия путем нераз.рллающего считывания информации, он содержит «а слое магнитоодноосного материала репликатор цилиндрических магнитных доменов, выполненный в виде двухслойного проводника, в торцах которого выполнены вырезы, совмещен ные с торцовыми вырезами в двухслойных проводниках регистров хранения и канала ввода-вывода информации, причем соответствующие стороны торцовых вырезов в отдельных слоях двухслойного проводника репликатора цилиндри- to ческих магнитных доменов со стороны .двухслойного проводника канала ввода- Г/

Я У вывода информации выполнены пересекающимися.

1О32479

Изобретение oòíocèòcë к нычислй-тельной технике и может быть использс>вано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЩЯ) .

Известен накопитель для запоминаю- 5 щего устройства, содержащий слой магнитоодноасного материала, на котором расположены изолированные друг от друга двухслойные проводники с .периодически чередующимися отверстиями, аб- (О разующими регистры хранения и канал ввода-вывода информации (1).

Недостатком этого накопителя является низкая-надежность.

Наиболее близким к предлагаемому является накопитель для запоминающего устройства, который содержи- слой магнитаодноосного материала, на катаром располо>кены регистры хранения и канал

>з Ода вынОда информации выпо ..>енные 20 н виде отдельных изолированных друг

От друга двухслойных проводников с периодически чередующимися отверсти" ями и торцовыми вырезами, В данном накопителе обмен информацией между регистрами хранения и каналом внодавывода информации осуществляется через переход„ который выполнен н виде периодически чередующихся отверстий. Отверстия перехода одного с=лoH с ncl!IcHBI HB О (25 пер IQT 2 Относи тельно Отверстий другого c>оя „От- верстия регистрон хранения и канала

:ввода-нынада. ЦМД, сопряжен нь.е с переходом, ныголнены н разных слоях соосНо наложенными друг на друга и 5 и(ле:от разные размеры B каждом из слоев соответственна >2).

Недостатком такого накопителя является разрушейие информации .з регистрах хранения при считынании. 40

Цель изобретения — повышение на- . дежности накопителя и поныщен -е быстродействия путем неразрущающего считывания информации.

Поставленная цель достигается 45 тем, что н накопитель для запоминающего устрой стна, содержащий слой магнитооднооснагo материала„ HB котором расположены регистры хранения и канал ввода-ныноца информации, ныполненные в виде отдельных изолированных друг От друга двухслойных проводников с периодически чередующимися отверстиями и торцовыми ныг>езами,,содержит на. слое ма>"питое>дно-. осного материала репликатор ЦМД„ выполненный н виде двухслойного праводни>са, в торцах катарога выполнены вырезы(совмещенные с торг>оными вырезами н д>зухслайных проводниках регистров хранения и канала нвада- 6О вывода информации, причем состнетстнующие стороны торцовых вырезов >з от

ДЕЛЬНЫХ СЛОЯХ ДВУХСЛОЙНОГО ПРОВОДНИка репликатора ЦМД со с-.îðîíû двухслОЙ НОГО г>1>О водника канала ввода а65 вывода информации выполнены пересекающимися.

На чертеже изображена конструкция предлагаемого накопителя для запоминающего устройстна.

Накопитель содержит канал. 1 вводавынода информации, регистр 2 хране"" ния информации и репликатор 3 ЦМД,,выполненные н виде изолированных друг ат друга двухслойных проводников соответственно 1 и 1, 2 и 2, 3 и 3, n ((( расположенных на слое магнитоодноосного материала 4. Регистр 2 хране"ния информации выполнен в виде периодически чередующихся отверстий 5 и 6 (( в проводниках 2 и 2. Отверстия 5 сдвинуты относительно отверстий 6 на четверть периода. На торцах проводников 2 и 2", обращенных к репликатору 3, выполнены вырезы 7 и 8, 9 и 10, ( совмещенные с вырезами 7 и 8, 9 и 1о н проводниках репликатора 3, и 3, образуя отверстия 7-10. На других торцах проводников репликатора 3(и ( со стороны канала 1 ввода-вывода информации также выполены вырезы 11(и

12, совмещенные с вырезами 11 и 12, выполненными н проводниках канала 1 (( ввода-:зынода ЦМД 1 и 1, образуя отнерстия 11 и 12. Причем сторона выре за 11 репликатора 3, обращенная к ( регистру хранения, выполнена пересекающейся относительно соответствующей стороны выреза 12 . В проводниках (" 1(1:и 1 канала 1 ввода-вывода выпал" нены периодически чередующиеся отвер-. стия 13-16, по сторонам которых перемещаются ЦМД 17. Устройства генера" ции и детектирования доменов, а также ннешние управляющие устройства на чертеже условно не показаны.

Работа накопителя основана на взаимодействии ЦМД с локальными магнит ными полями, создаваемыми протекающим ,по проводникам током на сторонах отверстий 5-16.

iNg 17 зарождаются н канале 1 ввода-вывода, и за счет подачи в (n проводники 1 и 1 двухфазных разнополярных импульсон продвигаются по сторонам отверстий 13-16 вдоль ка нала 1 ввода-вывода информации.

Внод ЦМД 17 в регистр 2 хранения информации осуществляется с верхней стороны отнерстия 13 канала 1 ввода-вывода информации. В проводникц и 1(подаются двухфазные разнополярные импульсы тока и ЦЯЯ 17 йоследавательно перемещается к нижним сторонам Отверстий 14 и 13 и далее к вырезам 12 ии11.При подаче двухфазных

И разнапалярных импульсов тока в пррводниках 3 и 3(ЦМД перемещается к вы1 реву 12, после чего импульсы тока . подаются в проводники 2 и 2" регистра 2 хранения информации. ЦМД 17 под воздействием импульсов .тока перемещается последовательно к сторо10324 / 9 нам отверстий 9" и 10", 9 и 10

На этом операция ввода ЦМД в регистр

2 хранения информации заканчивается.

Поиск адреса осуществляется подачей двухфазных разнополярных импуль»

<.ов тока в проводники 11 и 22/"3 . и 1,, 2" и 3 . При этом ЦМД от выреза

7 последовательно перемещается к вы9 10/ и т д.

Неразрушающее считывание информации в накопителе осуществляется следующим образом.

От выреза 7 ЦМД 17 перемещается к вырезам 8/, 7"," 8, 11, 12 при подаче токовых импульсов в проводники1э

1» и 1, и 2 и 2", 3;й 3 ., При протекании тока соответствующей по"..; лярности по проводнику 3 ЦМД зани- . мает место в правом нижнем углу выреза 12 . При этом повышают величину Щ тока в проводнике 3 благодаря чему

ЦМД растягивается в полосовой домен вдоль стороны выреза 12 . При поддер1 жанни неизменным тока в проводнике 3 в проводники 1, 2 и 3/ подают ток соответствующей полярности / притягивающий домен к вырезам 11 и 9 . При этом полосовой домен расположится перпендикулярно стороне выреза 11

I а концы его расположатся у вырезов

111 и 9" . Дополнительное повышение тока в проводнике .3 обеспечивает подъем локального магнитного поля у

/ соответствующей стороны выреза 11, который вызывает коллапс центральной части полосового домена. В результате образуются два домена, находящиеся . в магнитных ловушках у. вырезов 11 и

9 . При дальнейшем поступлении имtl пульсов тока нормальной амплитуды

ЦМД, находящийся у выреза 9" реплика- тора 3, перемещается к вырезам 10, //

9 и 10 и далее в регистр 2 хранения информации, а ЦМД вЂ” реплика, находящийся у выреза 11", перемещается к вырезу 12" нижним сторонам отверстий 45

13 и 14, верхним сторонам этих же отверстий и далее вдоль.:канала 1 вводавывода информации к устройству детектирования.

В режиме считывания информации с разрушен 1ем ЦМД 17, находящийся у выреза 7, при подаче импульсов тока в проводники 1 и 2, .3/и 1/,, 2" и 3" т перемещается последовательно К выре-

/ // // 1 I зам 8, 7,8,11 и 12 .Затем ЦМД растягивается и разделяется на два,анало. гично неразрушающему считыванию,ЦМД

//

/ t находящийся у выреза 11,перемещается

It к вырезу 12,а ЦМД,находящийся у выреза 9",перемещается к вырезу 10//.

// //

При этом в проводники 2 и 3 подают токи повышенной амплитуды и противоположного направления,и соответствующей полярности, пииводящей к повышению локального. магнитного поля у вырезов к

9 и 9 и соответственно к коллапсу ЦМЦ, находящегося в центре отверстия 9 у выреза 10", что соответствует разру шению информации в регистре 2. При подаче импульсов тока обычной амплитуды в проводники 1 .и 2, 3 .и 1

2" и 3"ЦМД-реплика перемещается к вы," резу 12//, нижним сторонам отверстий

13 и 14, верхним сторонам этих же отверстий и далее вдоль канала 1 ввода-вывода в устройство детектирования. Накопитель позволяет осуществить разрушение информации по заданному адресу без ее считывания. Для этого ЦМД, которьй необходимо сколлап сировать, перемещается к вырезу 10

// после чего в проводники 2 и 3 подаются токи повышенной амплитуды и противоположного направления, аналогично режим у считывания с разрушением. В результате ЦМД, находящийся у выреза 10, коллапсирует, что приводит к разрушению информации в регистре 2 хранения.

Использование предлагаемого накопителя позволяет повысить надежность и быстродействие ЗУ за счет исключения операLl,êll перезаписи информации при неразрушающеM считнsании. !

1032479

Составитель Ю. Розенталь

Редактор !О. Середа Техред М.Тепер . Корректор . Ференц

Заказ 5407/54 Тираж 594 Подписное

ВНИИПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москна, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4