Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК

359 G ..11 С 11 14:

ОПИСАНИЕ HSOEPETEHNR

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПИЙ (21) 3412382/18-24 (22J 19.03.82 (46) 07.08.83. Бюл, Р 29 (72) Х аCåБОйкор В МеКуэьменКО и В.A.Ìàêñèìåö (53) 681.327.6б(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Р 282428, кл. Q 11 С 11/14, 19б9.

2. Авторское свидетельство СССР 9 474542, кл. 6 11 С 5/02, 1972 (про-! тотип).

:(54)(57} СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАП(ЙИ. НМЙ ИХ МАТРИЦ 8А ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГ-, :RHT8HX ПЛЕНКАХ основанный на натя:ЖЕнки технологических струн, образовании зева йутем их разведения, пос:ледовательиож прокладывании в зев

;проводников числовых и экранирующих, обмоток под углом к технологическим струнам, закрывании зева, перемеще:нии сформованных проводников к чис„SU„„I 034 A ловым или экранирующим обмоткам при закрытом зеве, перемещении техноло,гических струн, отделении обмоток от зоны плетения и извлечении технологических струн, о т л и .ч а юшийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления запоми,.нающих матриц на цилиндрических маг нитных пленках, при последовательном прокладывании в зев проводников числовых и экранирующих обмоток проводник каждого первого полувитка экранирующей обмотки прокларжвают в один зев. вместе с проводником каждого ггоследнего полувитка числовой обмотки, а проводник каждого первого полувит.ка числовой обмотки прокладывают в щ один зев,вместе с проводником каждого последнего полувитка экранирующей обмотки, ориентируют проводники В зе ве один отнссительно другого и прово дят, их одновременную формовку.

1034072

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦИП ).

Известен способ изготовления зепо- 5 ..Минающих матриц на ЦМП, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева путем их разведения, .последовательном прокладывании в зев проводников числовых и экранирующих 10 обмоток и формовании из них числовых и экранирующих обмоток путем закрытия зева, отделении сформованных обмоток от зоны плетения, заливке готовых обмоток компаундом и извлечении технологических струн 1), Недостатком известного способа . изготовления является то, что форь ование проводников числовых и экранирующих .обмоток, проложенных s зев, происходит всеми струнами одновременно. Это приводит к возникновению значительных деформаций и утонений формуемого проводника, его обрывам, нарушениям изоляции и стягиванию технологических струн по шагу.

Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления запоминающих матриц íà ЦМП, основанный на натяжении технологических. струн, образовании зева путем их разведения, последовательном прокладывании в зев проводников числовых и экранирующих обмоток под углом к технологическим струнам, последовательном формовании струнами проводников при 3э закрывании зева, перемещении сформованных проводников к числовым или екранирующим обмоткам при закрытом зеве, перемещении технологических . струн, отделении обмоток от зоны пле- 40 тения, заливке компаундом и извлечении технологических струн.

Согласно этому способу изготовления запоминающих матриц сначала формуют витки числовой обмотки, каждый 45 из которых состоит из двух полувитков, ° сформованных в результате перемещения технологических струн сначала в одном направлении, а затем в другом. Каждый сформованный таким образом полувиток числовой обмотки перемещают с помощью гребенки и отделяют от эоны плетения.

После формования -необходимого количества витков .числовой обмотки Формуют необходимое количество витков экранирующей обмотки, геремещая при этом каждый сформованный ее полувиток с помощью гребенки и отделяя его от зоны плетения Г2 1.

Недостатком такого способа изго товления является то, что каждый пер- 60 вый и последний полувиток числовой обмоткИ испытывает значительные механические воздействия со стороны проводников экранирующих обмоток,, которые являются более жесткими и выпол- 65 иены обычно из пермаллоя, в местах их соприкосновения при перемещении каждого сформованного полувитка экранирующей и каждого сформованного полувитка числовой обмотки с помощью гребенки при этом сила, с которой числовые и экранирующие обмотки воздействуют на первые полувитки соответственно числовых и экранирующих обмоток, прилагается только в точках их соприкосновения. Это приводит к тому, что в точках соприкосновения числовых и экранирующих обмоток в результате их воздействия друг на друга в моменты их перемещения гребенкой нарушается изоляция проводников йервых и последних полувитков числовых обмоток проводниками экранирующих обмоток, так как последние являются более жесткими. Нарушение изоляции проводников числовых обмоток приводит к возникновению коротких замыканий проводников числовых и экранирующих обмоток друг с другом, которые проявляются как непосредственно при изготовлении матриц, так и при их дальнейших испытаниях. Короткие замыкания проводников числовых и экранирующих обмоток увеличивают влияние числовых обмоток друг на друга, что снижает уровень выходного сигнала и увеличивает уровень помехи матрицы, приводя к уменьшению выхода годных матриц.

Цель изобретения — повышение надежности изготовления запоминающих матриц на ЦМП.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления запоминающих матриц на ЦМП,основанному на натяжении технологических струн, образовании зева путем их разведения, последовательном прокладывании в зев проводников числовых и экранирующих обмоток под углом к технологйческим струнам, закрывании зева, перемещении сформованных проводников к числовым или экранирующим обмоткам при закрытом зеве, перемещении технологических струн, отделении обмоток от зоны плетения и извлечении технологических струн, при последовательном прокладывании в зев проводников числовых и экранирующих обмоток проводник каждого первого полувитка экранирующей обмотки прокладывают в один зев вместе с проводником каждого последнего полувитка числовой обмотки, а проводник ".каждого первого полувитка числовой обмотки прокладывают в один зев вместе с проводником каждого последнего полувитка экранирующей обмотки, ориентируют проводники в зеве один относительно другого и проводят их одновременную формовку, На Фиг.1 изображены проводник последнего полувитка числовой обмотки и проводник первого полувитка экра1034072

Фиест

©Q8.3

Тираж 594 Подписное

ВНИИПИ Заказ 5б31/53 филиал ППП "Патент", r.Óæãîðoä,óë.Ïðîåêòíàÿ,4 нирующей обмотки; на фиг.2 - рФзpcs A-А на фиг.1; на фиг.3 - распределение сил, действующих на последний полувиток числовой обмотки со стороны экранирующ@й обмотки в момент подбивки ее и всех последукщих полувитков гребенкой.

На чертежах обозначены:технологические струны 1, проводник 2 числовой обмотки, проводник Э последнего полувнтка числовой обмотки, провод- f0 ник 4 первого полувнтка экранирующей обмотки,.челноки 5 и б числовой и экранирующей обмоток, гребенка 7, линия приложения силы к последнему полувитку числовой обмотки со сторо- 35 ны экранирующей обмотки при перемещении ев гребенкой 8, сила, действующая в каждой точке линии соприкосновейия экранирующей и числовой обмоток Р;

Способ осуществляют следующим образом.

На Любом устройстве.или ткацком станке натягивают технологические струны 1 путем их разведения с помощью ремизок (не показаны образуют зев и прокладывают в него с помощью челнока 5 проводники 2 числовых обмоток, формуют из них полувитки числовых обмоток и перемещают их за зону. плетения, вместе с проводником--.

3 последнего полувитка числовой обмотки прокладывают с помощью челнока б проводник 4 первого иолувитка экранирующей обмотки,,ориентируют проводники 3 и 4 в зеве друг относительно друга, обеспечивая при этом одинаковый угол каждого из них относительно технологических струн 1, проводят их одновременную формовку путем последовательного сведения 40 струн в зеве и перемещают сформованную пару проводников последнего полувитка числовой обмотки и первого полувитка экранирующей обмотки с помо.щью гребенки 7 за зону плетения. . 45

После формования необходимого числа полувитков экраиирующей обс мотки вместе с проводником ее последнего полувитка прокладывают в один зев с ним проводник первого полувитка числовой обмотки, ориентируют проводники в зеве один относительно другого, обеспечивая при этом одинаковый угол каждого из них относительно технологических струн, проводят их одновременную формовку и ,перемещают сформованиую пару провод ников последнего полувитка экранирующей обмотки и первого полувитка числовой обмотки с помощью гребенки. за зону плетения.

Сила, с которой экранирующне обмотки действуют при их перемещении гребенкой из зоны плетения на последний полувиток каждой числовой обмотки, распределяется по линии 9, т.е. равномерно по всей поверхности последнего полувятка числовой обмотки, а не прилагается в одной точке, что имеет место в известном способе. Такое распределение силы приводит к зйачительному уменьшению механйческого воздействия одних обмоток на другие при их перемещении гребенкой из зоны плетения. При этом не проис ходят нарушения изоляции проводников последних и первых полувитков числовых обмоток, что позволяет устранить короткие замыкания между проводниками числовых и экранирующих обмоток и увеличить процент выхода .годных матриц. Кроме того, уменьшение воздушного зазора между экранирующей и числовой обмотками за счет более плотного их прилегания друг к другу улучшает магнитные характеристики запоминающей ыхтрицы.

Технико-экономический эффект от применения предлагаемого способа заключается в повышении надежности изготовления и процента выхода годных запоминающих матриц путем исключения повреждения изоляции проводников числовых обмоток и составляет, по предварительным расчетам, около 5,6 тыс. руб.