Стекло

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

. СТЕКЛО, в ключ ааяцее Si О j, BjOjf A02®3 BaO, о т л и ч a ю ц ее с я тем, что, с целью снижения коа ф4«Ш1енТа линейного Термического рабвшрения и температуры размягчения, оно содержит указанные компоненты при следующем соотношении , «ас,%: Si0247,8-49,9 BjOj9,7-13,5 Ав Оз10,0-10,5 ВаО28,7-29,9

3489С 03 С 3 10

ОПИОАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

IC a50P СЙОМУ åó (21) 3398305/29-33 (22) 17.02 ° 82 (46) 15 ° 08.83. Бюи» 9 30 (72) И.K.Íåèêîâè÷, О.В.Яееар, A.Н.филенко, Д.А.Йлимеискаи и И.Н.Лепик (71) Белорусский ордена Трудового Красного Заамеии политекиический институт . (53 ) ббб. 112 ° 9 (688 ° 8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

В 540830, кл С 03 С 3/08, 1974.

2. Авторамое свкдетельство СССР по заявке Ф 3289817/29-33, кл. С 03 С 3/10, 1981 (прототип /.

54)(57) CTKN30 включазащее Мо

В О3, М20 и Вао, о т л и ч аю щ е е с гг тем,.что, с целью снижения коэф@вщиента линейного термического рааииреиия и температуры . размягчении, оио содержит указанные иоьвгоиейты нрн следукщем соотиогггеиии, мас, Вг

ЗчОр". 47, 8-49,9

В О3 9,7-13 5

АЗ,О, Вао 28,7-29,9

1035010

47,8-49,9

9,7-13,5

10,0-10 5

28,7-29,9

Стекло

Предлагаемое

Прототип

2 (1

45,5-47,5

6,0-7,0

9,4-10,3

47,8

48,7

49,9

9,7

13,5

11Р9

BZOg

10i0

10,2.

10 5

А02О3

35, 2-30, 1

28,7

29,2

29,9

ВаО

1500

1530+10

1500

1500

Температура выработки, С

1320+10

1300

1300

1300

Кристаллизационная способность, С о

Не кристаллизуется

670+10 730+10

680+10

690+10

48,0+1

54+1

48,0+1

48, О+1

10""-1 О" 2

1О"

10 "2

10"

Химическая устойчивость (потери массы ),%, по отношению к

Н20

0,07-0,10

3,87-4,01

3,1 3-3,29

0,14

0,05

0,04

0,90

0,85

0,35

1 н. НСЕ

1 н. NaOH

1,91

3,35

3 51

Изобретение относится к технологии силикатов и предназначается для использования его в электронике в качестве износостойкого диэлектрика для микросхем специального назначения. 5

Известно стекло (1, включающее, мас.%: SiO 2 15-25; В О 24-36;

АЕ20 16-24; ВаО 18-30; И О 1-5.

Однако данное стекло имеет температуру размягчения 620+15 С, коэф- 10 фициент термического расширения

52-10 +2 .10 град-"и пониженную твердость, что является причиной неустойчивости этих стекол в условиях повышенного абразивного износа. 15

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является стекло (2 ), включающее, мас.%: SiOz 45,5-47,5;

АЕ,О 9,4-1О,3; В,О 6 О-7,0;

ВаО 35,2-39,1.

Компоненты и свойства

Состав стекла, мас.%

sio<

Температура варки, С о

Температура размягчения С о

Коэффициент теплового

-7 -1 расширения, 10, град

Удельное электрическое сопротивление, при 300 С, Ом см

Основными недостатками укаэанного стекла являются высокое з начение коэффициента линейного термического расширения (54 ° 10 град-1) и высокая температура размягчения (730 10 С) .

Цель изобретения — снижение коэффициента линейного термического расширения и температуры размягчения стекла.

Поставленная цель достигается тем, что стекло, включающее SiOZ

В О, АР20 и ВаО, содержит указаннйе компоненты в следующем соотношении, мас.%:

sio

В2О

" 5"3

Конкретные составы стекол и их

Физико-химические свойства приведены в таблице.

1035010

4 б

Составитель Г. Каменских

Редактор A. Гулько ТехредМ.Иадь: Корректор С. Шекмар

Тираж 486 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 5748/20

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Для синтеза стекол используют

Обычную технологию пронэводства, включаюцую составление шихты, варку стекла в газовой печи в кварцевых тиглях при 1500 С, выработку иэделий методами отливки выдувания, .вытягивание и прессование с последующим их отжигом в электрических муфельных печах.

Приведенные в таблице данные

:свидетельствуют, что по сравнению с прототипом преДлагаемое стекло обладает пониженными значениями ко» эффициента теплового расширения и температуры размягчения, что позволяет испольэовать его для создания проплавленного без трещин рельефа на подложках из ситалла СТ-50 в микросхемах специального назначения и предотвратить деформацию ситалловой подложки при обжиге покрытия.