Полупроводниковый переключатель для коммутационной матрицы

Полупроводниковый переключатель для коммутационной матрицы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ПОЛУПРСЖОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ДЛЯ КОММУТАЦИОННОЙ МАТРИШэ, содержащий первый, второй и третий транзисторы, причем коплектор и эммитер первого, транзистора подключешц к коллектору второго транзистора, отличающийся тем, что, с цепью устранения ложных срабагыванвЙ, вызванш к 3и|(эффектом, ввесюн диод, катод которого соединен с коллектором третьего транзистора и с базой второго транзистора, причем база третьего транзистора соединена с эмиттером нового транзистора, база которого соединена с эмиттером третьего транзистора.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (1c9 01) 3 р Н 048 3/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ н aB TOPCKOMV CBMpETKhhCTBV

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPbITHA (21) . 3294783/1 8-09 (22) 08.05,81 (46) 15.08.83 Бюп, Ж 30 (72) А. В, Барышников, И. И. Бычков, В. А. Душкин и С. А. Воронов (53) 621,395 (088.8) (56) 1. Патент ФРГ №"2637356, кл. Н 03 К 17/72, 1979 (прототип). (54) (57) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ДЛЯ КОММУТАЦИОННОЙ

MATPNUbI, содержащий первый, второй и третий транзисторы, причем коллектор и еммитер первого транзистора подключены к коллектору второго транзистора, о т л и ч а ю m и и с я тем, что„с целью устранения ложнык срабатываний, вызванных<30(сйэффектом, введен диод, катод которого. соединен с -коллектором третьего транзистора и с базой второго транзистора, причем база третьего транэис. тора соединена с эмиттером первого транзистора, база которого соединена с эмиттером третьего транзистора.

1035834 2 Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии полупроводниковый переключатель закрыт поданным на анод диода отрицательным потенциалом.

При быстром нарастании напряжения в полупроводниковом переключателе с р-И-р- и -структурой заряжаются барьерные емкости р- и -переходов транзисторов за счет протекания емкостных токов, не связанных с инжекцией неосновных носителей заряда. Крайние переходы смешаются в прямом направлении, а средний — в обратном. За счет малого значения барьерной емкости центрального перехода по сравнению с барьерными емкостями крайних переходов транзисторов практически все напряжение упадет на центральном переходе. В результате при окончании фронта импульса напряжение на крайних переходах не достигает значений, при которых начинается инжекция неосновных носителей заряда, и ложное включение переключателя не. происходит.

Таким образом, при быстром нарастании напряжения на полупроводниковом переключателе с р- и-р и-структурой обеспечивается высокая устойчивость к cfUldh эфФекту (до значения напряжения переключателя на постоянном токе).

Полупроводниковый переключатель можно изготавливать в одном технологическом

Э цикле в составе биполярных БИС, в частности, с элементами интегральных логических схем.

При использовании данного переключателя обеспечивается высокая устойчивость к — эффекту (до значения напряжения

U ае

1 с переключения на постоянном токе) и, соответственно, высокая помехоустойчивость и надежность схемы.

Изобретение относится к телефонии, в частности к коммутационным устройствам матриц.

Известен полупроводниковый переипочатель, содержащий элемент с р -.И -. р-) - 5 структурой и элементом управления, Однако для управления включением такого элемента требуется импульс большой длительности..

Наиболее близким к предложенному яв->0 ляется полупроводниковый переключатель, содержащий три транзистора, причем коллектор и эмиттер одного из транзисторов соединены с коллектором другого транзистора и образуется эквивалент тириiсто-f5 ра (1) .

Однако известный полупроводниковый переключатель допускает ложные срабатывания, вызванные наличиемйОЯЬффекта.

Целью изобретения является устране- 20 ние ложньщ срабатываний, вызванных

®1В фф

Поставленная цель достигается тем, что в полупроводниковый переключатель, содержащий первый, второй и третий 25 транзисторы, причем коллектор и эми тер первого транзистора подключены к коллектору второго транзистора, введен диод, катод которого соединен с коллектором третьего транзистора ис базойвторо- 30 го транзистора, причем база третьего транзистора соединена с эмиттером первого транзистора, база которого соединена с эмиттером третьего транзистора.

На чертеже приведена электрическая схема предложенного устройства.

Полупроводниковый переключатель содержит первый транзистор 1, второй тран-40 зистор 2, третий транзистор 3 и диод 4.

Составитель В. Евдокимов

Корректор A. Тяско

Редактор Л, Веселовская Техред Т,Маточка

Филиал llllII Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4

Заказ 5857/61 Тираж 677 Подписное

ВНИ 1ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5