Тара-спутник для бескорпусной интегральной микросхемы

Тара-спутник для бескорпусной интегральной микросхемы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ТАРА-СПУТНИК ДЛЯ БЕСКОРПУСНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ, преимущественно в установках для измерения, содержащая основание, включающее диэлектрическую пластину, в центре которой выполней паз для бескорпусной интегральной микросхемы, соединенный с вакуумной системой, и размещенную под ней металлическую пластину, и крышку с элементом ее фиксации, о т- . личающаяся тем, что, с целью увеличения выхода годных, она снабжена прижимным диэлектрическим винтом , торцовая поверхность которого имеет форму поверхности кристалла, бескорЪусной интегральной схемл и который .расположен в отверстии, выполненном в центре крышки, а в металлической пластине основания выполнен выступ, который расположен в сквозном пазу диэлектрической пластины основания. оо оо О)

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (1% (и) э(511 Н 01 Ь 21/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (.ОСУДАРСТ ЕННцй HOMW ЕТ COCA

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblYHA (21) 3397579/18-21 (22)18.02.82 (46)23.08.83. Бюл. Р 31 (72)И. И. Бычков, Г. П. Сергеева и В. С. Страхов (53)621.382(088.8) (56)1. Авторское свидетельство СССР

Р 745295, кл. Н 01 L 21/00, 1978. (54) (57) ТАРА-СПУТНИК ДЛЯ БЕСКОРПУСНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ, преимущественно в установках для измерения, содержащая основание, включающее диэлектрическую пластину, в центре которой выполнеи паз для бескорпусной интегральной микросхемы, соединенный с .вакуумной системой, и размещенную под ней металлическую пластину, и крышку с элементом ее фиксации, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения выхода годных,. она снабжена прижимным диэлектрическим ви нтом, торцовая поверхность которого имеет форму поверхности кристалла, бескорпусной интегральной схем и который .расположен в отверстии, выполненном в центре крышки, а в металлической пластине основания выполнен выступ, который расположен в сквозном пазу диэлектрической пластины основания.

1037361 для обеспечения необходимого отвода тепла, крышку 3, выполненную из диэлектрического материала, В центре основания выполнен сквозной паз 4 для размещения бескорпусной инте" гральной микросхемы 5, соединенный с накуумной системой через отверстие б, выполненное в пластине 2.

Пластина 2 имеет цилиндрический выступ"7, размещенный в сквозном пазу

4, .с диаметром, соответствующим отверстию в таре-спутнике и по высоте меньше ее основания на глубину, равную толщине кристалла микросхемы 5 с заливкой. Цилиндрический выступ пластины входит в отверстие основания тары-спутника. Крепление пластины 2 к пластине 1 основания тарыспутника осуществляется любым способом, обеспечивающим необходимую

2П прочность крепления. Отверстие 6, сделанное в центре пластины 2, предназначено для фиксации кристалла полупроводниконой интегральной микросхемы 5 при укладке выводов 8 с

25 помощью вакуумного разряжения. Бескорпусная полупроводниковая интегральная микросхема 5 прижимается винтом

9, изготовленным из фторопласта или равноценного по твердости материала, обеспечивающего непонреждаемость защищенного покрытия микросхемы. Винт 9 в торце. имеет форму, соответствующую ответной форме кристалла, что обеспечивает необходимый и достаточный равномерный контакт кристалла с цилиндрическим выступом 7. Выводы

8 микросхемы, изготовленные из тонкой золотой проволоки, укладываются в пазы 10, имеющиеся на основании тарыспутника. Пазы образованы выступами

11 концентрических окружностей, выступающими над основанием. Через отверстия 12 крышки 3 тары-спутника осуществляется контакт. выводов 8 микросхемы с зондовым устройством

5 при проведении испытаний и измерений.

Цель изобретения — увеличение вы- 3 хода годных.

Эта цель достигается тем, что тара-спутник для бескорПусной интегральной микросхемы, преимущественно установках для измерения, содержа- 4 щая основание, включающее диэлектрическую пластину, s центре которой выполнен паз для бескорпусной интегральной микросхемы, соединенный с вакуумной системой, и размещенную под4 ней металлическую пластину, и крышку. с элементом ее фИксации, снабжена прижимным диэлектрическим винтом, торцовая поверхность которого имеет форму поверхности кристалла бескор" пусной интегральной схемы и который расположен в отверстии, выполненном в центре крышки, а в металлической .пластине основания выполнен выступ, который расположен в сквозном пазу диэлектрической пластины основания. .На фиг. 1 изображена тара-спут« нии с размещенной. в ней бескорпусной. полупроводниковой интегральной микросхемой, вид сбоку; на фиг. 2то же, вид сверху. 6

Тара-спутник содержит основание, выполненное из диэлектрической пластины 1 и металлической пластины 2, изготовленной из материала с большим коэффициентом теплопроводности

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к технологическому оборудонанию для производства электрических элементов, в частности, бескорпусных полупровод-. никовых интегральных микросхем с гибкими проволочными выводами при проведении испытаний и контроле па-. . раметрон.

Наиболее близкой к предлагаемой является тара-спутник для бескорпусной интегральной микросхемы, преимущественно в установках для измерения,.содержащая основание, включающее диэлектрическую пластину, в центре которой выполнен паз для бескорпусной интегральной микросхемы., соединенный с вакуумной системой, и размещенную под ней металлическую пластину, и крышку с элементом ее фиксации (1).

Недостатком кассеты является то, что при .измерении электрических параметров бескорпусных полупроводников приборон средней мощности не обеспечивается необходимый теплоот- . вод. Отвод тепла в этом случае произнодится с помощью специального кристаллодержателя, напаиваемого на каждый кристалл бескорпусной микросхемы. При операциях напайки бескорпусных полупроводниковых интеграль-. ных Микросхем нередки случаи, приводящие к порче кристаллов и- выхода их из строя.. Устройство работает следующим об" разом.

Тара-спутник устанавливается на столике, ориентируется по элементам

13 ориентации, и жестко фиксируется основание в этом положении. Снимается крышка 3 с основания, берется кристалл полупроводниковой интегральной микросхемы 5 и укладывается на линдрический высту кой пластины 2 над отверстием б. В отверстии 6 создается разряжение от специального устройства, за счет чего кристалл не имеет воэможности свободного перемещения. Золотые проволочки (выводы 8) от кристалла аккуратно пинцетом укладываются в пазы

10 на основании, после чего крышка закрывается и при помощи винта 9 в крышке тары обеспечивается допол1037361

Составитель Л. Гриыкова

Техред K.мыцьо . Корректор А. Ференц

Редактор П. Коссей

Заказ 6022/56 Тираж 703 . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, E-35, Раув,ская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгсфод, ул. Проектная, 4 нительный более плотный и равномерный контакт кристалла с цилиндрическим выступом 7 на металлической пла стине 2. Разряжение в отверстии 6 .снимается и тара-спутник, вместе с кристаллом готова к проведению испытаний и измерений.

Таким образом использование такой тары-спутника позволяет увеличить выход годных микросхем при контроле нх параметров.

Изобретение позволяет отказаться от сравнительно сложной .технологии изготовления кристаллодержателя и напайки кристалла на него и дает возможность непосредственно устанавливать микросхему для проведения измерений электрических параметров в тару-.спутник, так как в данном случае теплоотводом является металли ческая пластина с выступом, находя о щаяся в таре-спутнике.