Гибридная интегральная микросхема

Гибридная интегральная микросхема

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МЖРОСХЕМА , включающая диэлектрическое основание, слои пассивных элементов, разделяющие их слои диэлектрика, элементы межслойной коммутации и навесные активные элементы, отличающая ся тем, что, с целью повьш1ения надежности, слои пассивных элементов выполнены из фольги, боковые поверхности схемы содержат ступени с расположенными на них контактными площадками, а элементы межслойной коммутации выполнены в виДе слоев припоя, расположенных на контактных площадках.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ.

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sg 4 Н 01 ?. 23/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 2733879/18-21 (22) 06. 03. 79 (46) 23.05.89. Бюл. В 19 (71) Научно-исследовательский н конструкторский институт испытательных машин, приборов и средств. измерения масс.. (72) Ю.М.Базжин и Е.М.Фридман(53) 621.382(088.8) (56) Ушаков Н.Н.Технология элемен- тов вычислительных машин. — M.

Высшая школа, 1976, с..268-269.

Основы проектирования микроэлектронной аппаратуры. Под ред. Высоцкого В.Ф. И,, Советское радио, 1978, с. 241-247.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использова.но для создания функционально законченных узлов и блоков радиоэлектронной аппаратуры.

Известна конструкция гибридной интегральной схема, включающая диэлектрическое основание, тонкопленочные слои пассивных элементов, раз" деляющие их диэлектрические слои и навесные активные элементы.

Недостатками данной конструкции являются невысокая точность и стабильность пленочных пассивных элементов и ограниченное число сдоев в схеме.

Наиболее близкой по технической сущности и достигаемому результату является конструкция гибридной интегральной схемы, включающая диэлект„„SU„„10409 3 А

2 (54) (57) ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА, включающая диэлектрическое основание, слои пассивных элементов, разделяющие их слои диэлектрика, элементы межслойной коммутации и навесные активные элементы, о т л и— ч а юща я ся тем, что, с целью повышения надежности, слои пассивных элементов выполнены иэ фольги, боковые поверхности схемы содержат ступени с расположенными на них контактнымн площадками, а элементы межслойной коммутации выполнены в виде слоев припоя, расположенных на контактных площадках. рическое основание, слои пассивных элементов, разделяющие их слои диэлектрика, элементы межслойной коммутации и навесные активные элементы.

Недостатком известной конструкции является низкая надежность схемь1, обусловленная высокими значениями .температурных коэффициентов сопротивления (TKC) и плохой временной стабильностью пассивных элементов, а также нарушением элементов межслойной коммутации в виде молибденовых столбиков из-за коробления и усадки керамических подложек в процессе термических операций.

Цель изобретения — повышение надежности гибридных интегральных микросхем, Цель достигается тем, что в гибридной интегральной микросхеме, 1040983 включающей диэлектрическое основание, слои пассивных элементов, разделяющие их слои диэлектрика, элемен. ты мйжслойной коммутации и навесные активные элементы, слои пассивных элементов выполнены из фольги, боковые поверхности схемы содержат ступени с расположенными на них контактными площадками, а элементы межслойной коммутации выполнены в. виде слоев припоя, расположенных на контактных площадках.

На фиг. 1 представлен общий вид конструкции; на фиг. 2 — отдельный слой схемы.

Схема содержит диэлектрическое основание 1, слои пассивных элементов 2, разделяющие их слои диэлектрика 3, ступени 4 н» боковых поверхностях схемы, контактные площадки 5, межслойную коммутацию в виде слоя, затвердевшего припоя 6 и активные навесные элементы 7.

Для изготовления устройства листы фольги после химической обработки покрывают с одной стороны фоторезистом и производят фотолитографию для получения пассивных элементов 2. За5 тем на вторую сторону фольги наносят. лак для формирования слоя диэлектрика 3, после чего полученные слои укладывают согласно топологии на основании 1 и подвергают термообработке при Т = 180 — 200 С, при которой образуется монолитная структура. Далее осуществляют межслойные соединения путем погружения в расплав припоя ступенчатых боковых поверхностей схемы с расположенными на них контактными площадками 5.

Изобретение позволяет существенно повысить надежность гибридных интегральных микросхем за счет того, что использование фольговых пассивных элементов дает возможность на порядок повысить ТКС элементов, в несколько раз улучшить их временную стабильность и осуществлять межслойную коммутацию массой припоя без дополнительных.проводников.