Формирователь импульсов

Формирователь импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ, содержащий ключевой элемент, усилитель Дарлингтона, п-р-п-транзистор, диод, конденсатор и три резистора, причем входом устройства является вход ключевого элемента вход усилителя Дарлингтона соединен с анодом диода, а выход является выходом всего устройства и соедшне.н с эмиттером t -р-п-транзистора, коллектор которого соединен с катодом диода, а база соединена с первой об.кладкой 5 конденсатора и через первый резистор с общей шиной, с которой соединена вторая обкладка конденсатора , отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и упрощения, в него введен р-п-р-тринзистор, эмиттер которого соединен с выходом ключевого элемента и через второй резистор соединен с анодом диода и базой р-п-р-транзистора, коллектор которого через третий резистор соединен с первой обкладкой конденсатора и базойп-р-п-транзистора.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

3(5П Н 03 К 17 08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Э

С0

«Вь

СЛ

CO Ф

С0

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3301367/18-21 (22) 18.06.81 (46) 30.09 ° 83. Бюл. Р 36 (72) Л.К.Самойлов и С.П.Тяжкун (71) Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д.Колмыкова (53) 621.373(088.8) (54)(57)

„„SU„„1045390 А. эмиттером п -р-п-транзистора, коллектор которого соединен с катодом диода, а база соединена с первой обкладкой,конденсатора и через первый резистор с общей шиной, с которой соединена вторая обкладка конденсатора, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и упрощения, в него введен p -ll-p-тринэистор, эмиттер которого соединен с выходом ключевого элемента и через второй резистор соединен с анодом диода и базой p-n-ð-транзистора, коллектор которого через третий резистор соединен с первой обкладкой конденсатора и баэойп-p-n-транзистора.,1045390

Изобретение относится к цифровой технике,,и предназначено для формиронания прямоугольных импульсов на нходе проводной линии связи или на иной нагрузКе с большой входной емкостью.

Ф

И з не стен формиров ат ель импуль сон, содержащий два транзистора разного типа проводимости,.диод, схему смещения и три резистора.

Недостаток данного устройства ; большое время задержки включения при работе на емкостную нагрузку

-и искажение.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является )5 формирователь импульсов, содержащий ключевой элемент, выходной усилитель

Дарлингтона, три и -р-n — транэистора, два диода, емкость и четыре резистора.

Недостаток известного устрой- Щ ст на — сложность схемы э ащи ты (он а ,содержит конденсатор, четыре резис тора, три транзистора, два.диода) и большая потребляемая мощность.

Цель изобретения — снижение пот- 25 . ребляемой мощности, упрощение схемы при сохранении высокой нагрузочной способности.

Поставленная цель достигается тем, что в формирователь, содержащий ключевой элемент, усилитель.Дарлингтона, и — р-п-транзистор, диоц, конденсатор и три резистора, причем входом устройства является вход ключевого элемента, нход усилителя .Дарлингтона соединен с анодом диода а выход является выходом всегО устройства и соединен с эмиттером

П-р-п-транзистора, коллектор которого соединен с катодом диода, а база соединена с первой обкладкой конден- 40 сатора и через первый резистор с общей .шиной, которая соединена с второй обкладкой конденсатора, введен р-п-р-транзистор, эмиттер которого соединен с выходом ключевого 45 элемента и через второй резистор соединен с анодом диода и базой ,р-п-р-транзистора, коллектор кото" рого через третий резистор соединен с первой обкладкой конденсатора и базой и -р-п-транзистора.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Устройство содержит ключевой элемент 1, р-и-р-транзистор 2, диод 3, усилитель Дарлингтона 4, и -р-и-тран зистор 5,резисторы 6-8 и конденсатор 9.

Устройство работает следующим образом.

При появлении на входе устройства низкого напряжения на выходе ключевого элемента 1 появляется напряжеwe открывающее транзисторы усилителя Дарлингтона 4, при эначительВКИЛПИ Заказ 7574 59

Филиал ППП Патент",г.У ной емкости нагрузки падением напряжения на резисторе 7 открывается транзистор 2 и начиНается заряд конденсатора 9. За время заряда максимальной емкости нагрузки конденсатор 9 не успеет зарядиться до напряжения отпирания транзистора .5 °

При формировании вершины выходного импульса падение напряжения на резисторе 7 будет незначительным и транзистор 2 закроется, а конденсатор 9 разряжается через резистор

6. При подаче высокого уровня напряжения на вход ключевого элемента 1 закроются транзисторы усилителя

Дарлингтона 4. Если на выходе формирователя произошло короткое замыкание, то напряжение на резисторе

7 откроет транзистор 2, конденсатор

9 зарядится до напряжения отпирания транзистора 5, откроется транзистор

5 и падение напряжения на диоде

3 и переходе коллектор-эмиттер транзистора 5 закроет транзисторы усилителя Дарлингтона 4. При появлении высокого уровня напряжения на входе устройства упадет напряжение на выходе ключевого элемента 1, резисторе 7, закроется транзистор 2, конденсатор 9 разрядится через базаэмиттерный переход транзистора 5 и резистор 6, Таким образом, при коротком замыкании через выходной транзистор усилителя Дарлингтона 4 будут протекать импульсы тока длительностью, равные времени фронта выходного .импульса при максимальной емкости нагрузки, и скважностью, оттределяемой как отношение длительности периода выходных импульсов к длительности фронта выходного импульса, также как в схеме прототипа.

Схема защиты при обычном режиме работы (нет короткого замыкания) потребляет мощность только во время формирования переднего фронта выходного импульса. В остальное время работы транзисторы 5 и 2 в схеме защиты закрыты и мощность схемой защиты практически не потребляется.

В то время как у прототипа в схеме защиты постоянно выделяется мощность на двух резисторах и диоде, один и .другой из трех транзисторон схемы защиты также все время открыты и потребляют мощность, кроме того, н момент формирования выходного импульса мощность в схеме защиты выделяется сразу на четырех резисторах, диоде и одном транзисторе.

Таким обраэбм, предполагаемое устройство в сравнении с прототипом существенно снижает потребляемую мощность, сохраняя высокую нагруэочную способность, Тираж 936 По писное жгород, ул.Проектная,4