Датчик магнитного поля вальтаса

Датчик магнитного поля вальтаса

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1.Датчик магнитного поля, содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, двумя равными по площади областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, выходной электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром. 2. Датчик по п. 1, о т л и ч а ющ и и с я тем, что скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношения S. где s, 82 - скорости поверхностной рекомбинации носителей тока соответ (О ствующих областей.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„Ви„„720 А

1(5В G 01 R 33 02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ е еее ек, ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2838568/18-21 (22) 16.11.79 (46) 07.10.83. Вюл. У 37 (72) И.A.Âàëüòàñ (71) Вильнюсское отделение Всесоюзного научно-исследовательского, проектно-конструкторского и технологического института малых электри-. ческих машин (53) 621.317.44(088.9) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

9 574012, кл. G 01 R 33/02, 1975 (прототип), (54) ДАТЧИ МАГНИТНОГО ПОЛН BMIbTACA (57) 1.Датчик магнитного поля, содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, двумя равными по площади областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, выходной электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром.

2. Датчик по п. 1, о т л и ч а юшийся тем, что скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношения S /В 20, 1 2 гпе Н„, и — скорости поверхностной 3 рекомбинации носителей тока соответствующих областей.

1046720

Составитель Ф.Тарнопольская

Редактор Н.Стащишина Техред Ж.Кастелевич КорректорС.Шекмар

Заказ 7725/46 Тираж 710 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раущская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r.Ужгород, ул.Проектная, 4

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано в устройствах автоматики и измерительной техники.

Известен датчик магнитного поля, содержащий полупроводниковую пласти- 5 ну с токовыми электродами, установленными на ее торцах, и областью с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, расположенной на одной из граней пласти- 10 ны и занимающей половину ее площади, выходной электрод, установленный между областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока (1, 15

° Недостатком данного датчика является сравнительно низкая чувствительность к магнитному полю из-за малого пути прохождения .носителей тока и однопорядкового изменения сопротив-20 лений обеих частей .пластины, Цель изобретения — повышение чув-. ствительности датчика магнитного поля.

Поставленная цель достигается тем, 25 что в датчике магнитного поля, содержащем полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, двумя равными по площади областями с различными скоростями поверхност- 30 ной рекомбинации носителей тока на одной из граней, выходной электрод, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной ско- 35 ростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной . из граней пластины, перпендикулярной грани с токопроводящим растром.

Кроме того, скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношения S „./S 7,20, где

S„, S 2 -скорости поверхностной рекомбинации носителей тока соответ- ствующих областей.

На чертеже представлен,предлагаемый датчик магнитного поля.

Датчик содержит полупроводниковую пластину 1, к торцам 2 которой присоединены токовые электроды 3.

Грань 4 пластины 1 имеет область 5 с повышенной и область 6 с меньшей скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, занимающие соответствующую половину площади грани 4. На половину грани 7 пластины 1 нанесен токопроводящий растр 8, крайний проводник 9 которого служит основанием выходного электрода 10.

Отношение скоростей поверхностной рекомбинации области 5 и области 6 выбрано не меньшим-двадцати (),20).

Скорость поверхностной рекомбинации на грани 11, параллельной грани 4, такая же, как в области 6.

Датчик магнитного поля работает следующим образом.

При воздействии магнитного поля параллельно грани 4 на пластину 1, по которой между контактами электродов 3 и по растру 8 протекает электрический ток, происходит перераспределение носителей тока в сечении между гранями 4 и 11. При этом изменение сопротивления части пластины 1 с растром .8 значительно превышает изменение сопротивления другой части пластины 1. Разностный сигнал частей пластины 1 пропорционален значению напряженности. воздействующего на датчик магнитного поля.

Исследование предлагаемых датчиков магнитного поля показало, что при отношении скоростей поверхностной рекомбинации носителей тока, не меньшим двадцати, чувствительность на два порядка превышает чувствительность датчика, выбранного в качестве прототипа.