Полупроводниковая интегральная коммутационная матрица

Полупроводниковая интегральная коммутационная матрица

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ КОММУТАЦИОННАЯ МАТРИЦА , содержащая полупроводниковую одпожку, в которой сформированы области ключевых тиристорных элементов и области диодов, входные, выходные и управляющие шины, отличающа я с я тем, что, с целью повышения плотности компановки, входные и управляющие шины, соединяющие соответсг/ венно анодные области ключевых тиристорных элементов и базовые области управлякяцих диодов по строкам, расположены над катодными областями ключевых тирис торных элементов, а выходные шины, соединяющие катодные области ключевых тиристорных элементов по столбцам, в местах пересечения их с входными и управляющими шинами являются катодными областями ключевых тиО ристорных элементов. (Л со

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) 3(5g Н 049 3/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3271907/18-09 (22) 03.04.81 (46) 07.10.83. Бюп. 1 >"> 37 (72) В.А,Душкин> И.И.Бычков, А.В.Барышников, Л.В.Попов и Ю,И.Черепнев (53) 621. 395,4 (088.8) (56) 1. Заявка Великобритании

М 1527458, кл. G 4 Н, 1979.

2. Патент США Мг 3875563, кл. 340-166 Р, 1975, (54) (57) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ КОММУТАЦИОННАЯ MATPHUA, содержащая полупроводниковую ,подложку, в которой сформированы области ключевых тиристорных элементов и области диодов, входные, выходные и управляющие шины, о т л и ч а ю щ ая с я тем, что,с целью повышения, плотности компановки, входные и управляющие шины, соединяющие соответсг. венно анодные области ключевых гиристорных элементов и базовые области управляющих диодов по строкам, расположены над катодными областями ключевых тиристорных элементов, а выходные шины, соединякшие катодные области ключевых тиристорных элементов по столбцам, в местах пересечения их с входными и управляющими шинами являются катодными областями ключевых тиристорных элементов.

1 046972

Составитель В.Шевцов

Редактор С.Квятковская Текред Т.Маточка Корректор А.5эятко

Заказ 7755/58 Тираж 677 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в системах коммутации сигналов, Известна коммутирующая матрица, содержащая диоды и сопротивле- 5 ния 13 .

Недостатком укаэанной матрицы явля» ется то, что она выполнена на дискретных. элементах в результате чего не достигается высоких степеней плотности компановки, Наиболее близкой к предлагаемой является полупроводниковая интегральная коммутационная матрица, содержащая полупроводниковую подложку, в которой сформированы области ключевых тиристорных элементов и области диодов, входные, выходные и управляющие шины Г2)

Недостатком известного устройства яв» ляется невозможность достижения высокой 20 степени интеграции матрицы иэ-за необходимости выполнения соединений между элементами в виде навесных проводников, Цель изобретения - повышение плотности компановки.

Поставленная цель достигается тем, что в полупроводниковой интегральной коммутационной матрице, содержащей попупроводниковую подложку, B которой сформированы области ключевых тирис- 3ð торных элементов и области диодов, входные, выходные и управляющие шины, входные и управляющие шины, соединяющие . соответственно анодные области ключевых тиристорнык элементов и базовые области З управляющих диодов по строкам, расположены над катодными областями ключевых тиристорных элементов, а выходные шины, соединяющие катодные области ключевых тиристорных элементов по стопбцам, в 4р местах пересечения их с входными и управляющими шинами являются катодными областями ключевых тиристорных элементов.

На чертеже приведена структурная электрическая схема полупроводниковой интегральной коммутационной матрицы.

Устройство содержит анодные области 1 ключевых тиристорных элементов, управляющие области 2 ключевых тиристорных элементов, катодные области 3 ключевых тиристорных элементов, базовые области 4 диодов, эммитерные области 5 диодов, входные шины 6, выходные ши-, ны 7., управлякщие шины 8.

Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии напряжение на входных шинах 6 равно напряжению на выходных шинах 7, а на управляющих шинах 8 - .отрицательный потенциал. Зля обеспечения коммутации по управляющей шине 8 пропускается ток, необходимый для спряжения характеристики тиристорной структуры, находящейся на пересечении входных и выходных шин 6 и 7 между которыми допжна быть произведена коммутация, одновременно понижается потенциал соответствующей выходной шины

7. Потенциалы на входных и выходных шинах 6 и 7 выбираются такими, чтобы после включения структуры по ней протекал ток, достаточный для удержания ее во включенном состоянии. После включения структуры потенциал управляющей шины 8 возвращается в исходное состояние.

Для того, .чтобы организовать новые линии связи в матрице, обеспечивают потенциалы на всех BbIxoAHbix шинах 7, равные потенциалам на входных шинах 6, после чего можно выполнять новые коммутационные связи.

Изобретение дает воэможнос ь изготовлять полупроводниковые коммутационные матрицы в едином технопогическом цикле в составе БИС с инжекционным питанием с высокой степенью интеграции.